太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池技术

本发明专利技术涉及光伏电池技术领域，提供一种太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池，其中，太阳能电池的接触结构的制备方法包括在硅衬底的表面沉积形成钝化介质膜；采用刻蚀工艺减小目标区域的钝化介质膜的厚度，目标区域的钝化介质膜的厚度须大于零；在目标区域涂覆金属浆料，并进行高温烘干处理、以使金属浆料形成电极栅线，金属浆料设置为不能腐蚀钝化介质膜；在电极栅线上施加导引电荷，导引电荷设置为与硅衬底内能够产生的非平衡载流子的电荷相异，并利用光源对非目标区域的钝化介质膜进行照射。如此设置，解决了现有技术中的太阳能电池的金属接触区域的复合损失较高的问题。能电池的金属接触区域的复合损失较高的问题。能电池的金属接触区域的复合损失较高的问题。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池


[0001]本专利技术涉及光伏电池
，尤其涉及一种太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池。

技术介绍

[0002]太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的半导体器件，其能够通过光生伏特效应将光能转换为电能。随着太阳能电池技术的不断发展，金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率提高的重要因素之一。
[0003]现有技术中在制备金属接触区域时，一般先在硅衬底的表面加工钝化介质膜，然后在钝化介质膜上印刷金属浆料(银浆、铝浆等)，通过烧结工艺，使硅衬底上印刷有金属浆料的区域的钝化介质膜全部被烧穿，以使金属浆料与硅衬底的表面直接接触，从而得到金属接触区域。钝化介质膜被烧穿的区域并没有完全形成欧姆接触，存在既无钝化介质膜又无欧姆接触的冗余区域，该冗余区域中没有形成欧姆接触的部位失去了钝化介质膜，导致金属接触区域的复合上升，限制了太阳能电池的转换效率的提高。
[0004]因此，如何解决现有技术中的太阳能电池的金属接触区域的复合损失较高的问题，成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的接触结构的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底的表面沉积形成钝化介质膜；采用刻蚀工艺减小目标区域的所述钝化介质膜的厚度，所述目标区域的所述钝化介质膜的厚度须大于零；在所述目标区域涂覆金属浆料，并进行高温烘干处理、以使所述金属浆料形成电极栅线，所述金属浆料设置为不能腐蚀所述钝化介质膜；在所述电极栅线上施加导引电荷，所述导引电荷设置为与所述硅衬底内能够产生的非平衡载流子的电荷相异，并利用光源对非目标区域的所述钝化介质膜进行照射。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的接触结构的制备方法，其特征在于，所述在硅衬底的表面沉积形成钝化介质膜，包括：在所述硅衬底的表面沉积形成第一介质膜，所述第一介质膜为氧化硅介质膜；在所述第一介质膜的表面沉积形成第二介质膜，所述第二介质膜至少包括氮化硅介质膜。3.根据权利要求2所述的太阳能电池的接触结构的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质膜的表面沉积形成第二介质膜之前，还包括：利用等离子体对所述第一介质膜进行轰击、以降低所述第一介质膜的致密程度。4.根据权利要求2所述的太阳能电池的接触结构的制备方法，其特征在于，所述第二介质膜还包括氧化铝介质膜，所述在所述第一介质膜的表面沉积形成第二介质膜，包括：在所述第一介质膜的表面沉积形成所述氧化铝介质膜；在所述氧化铝介质膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，王治业，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：发明
国别省市：