【技术实现步骤摘要】
一种对应瞬态大光保护APD的系统及方法
[0001]本专利技术涉及光模块领域,更具体地说是一种对应瞬态大光保护APD的系统及方法。
技术介绍
[0002]目前光模块行业常用保护APD(雪崩光电二极管)不被大电流击穿的的方法是通过串联大阻值电阻(5K欧姆左右)。因为在电压恒定的前提下,串联电阻会减少流经APD的电流,从而实现APD不被毫安级电流击穿。
[0003]上述串联大电阻的方法,在实际应用中有三个比较大的缺陷。
[0004]1、作为通信类产品封装完成后无法保障串联电阻的一致性,所以无法控制流入APD的电流值,影响光模块的重要指标参数光饱和度测试。
[0005]2、对APD厂家的产品一致性要求较高,更换不同厂家的APD后,所用的串联电阻就需要随着变化,兼容使用效果差,同样也影响光饱和度测试。
[0006]3、即使串联了大阻值电阻如遇上大光脉冲仍有几率对APD造成不可逆的损伤。
技术实现思路
[0007]为了克服现有技术的上述缺陷,本专利技术提供一种对应瞬态大光保护APD的方法 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种对应瞬态大光保护APD的系统及方法,其特征在于:系统包括:限流电阻、电流监测模组、分流网络模块、算法控制模组,所述电流监测模组连接限流电阻,可监测流经限流电阻的电流值;算法控制模组可获取电流监测模组的信息,并控制分流网络模块;所述分流网络模块利用了并联分流的原理,在高压输入恒定的前提下,分流网络模块可反向调节APD干路上的电流;电流检测模组和算法控制模组可以组成一个反馈网络;控制方法为:A、光模块上电后,由于接收到的光大小未知,此时将VAPD设置成0V,V1设置成2.5V,完成,初始化;B、当光模块从Low Power状态进入High Power状态后,先将VAPD设置成10V,并在MSA规定的时间内将电压从10V提升到20V;C、算法控制模组的单片机实时监测光模块的LOS状态,当模块处于LOS状态时V1设置成2.5V,三级Q1A的B极电压升高,三级管Q1A工作在放大区,分流网络启动;大部分电流会经过Q1A、分流电阻R5...
【专利技术属性】
技术研发人员:宁明,姜浩,
申请(专利权)人:武汉莱创德技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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