一种单层MoS2基聚合物纳米复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种单层MoS2基聚合物纳米复合材料及其制备方法。将单层MoS2纳米片先均匀分散在聚合物单体中，然后通过原位聚合法得到单层MoS2基聚合物材料，该材料经加工后可以得到功能化产品。该发明专利技术方法可有效地避免了MoS2纳米片的团聚，使其均匀分散在聚合物基体中。引入少量MoS2纳米片后，复合材料具有优异的力学性能。本发明专利技术成本低、工艺简单、生产效率高，在工业中可以快速规模的实施。在工业中可以快速规模的实施。在工业中可以快速规模的实施。

【技术实现步骤摘要】
一种单层MoS2基聚合物纳米复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种单层MoS2基聚合物纳米复合材料及其制备方法，属于复合材料制备领域。

技术介绍

[0002]聚合物产品拥有包括大分子链结构、聚集态结构、多相多组分结构等多层次结构，具有不同于小分子化学产品的功能。通过精准调控聚合物不同层次的结构，可制备得到高性能/多功能的聚合物，实现产品的高值化。
[0003]二维纳米材料是一种具有高纵横比的片状材料，可与聚合物共混，能够在极低的浓度下产生显著的材料性能增益。常见的二维纳米片主要有云母、蒙脱土、二硫化钼等无机物与石墨烯、炭黑等碳材料。单层二硫化钼(MoS2)是一种兼具优异力学、热稳定、生物相容性和光电特性的理想的二维纳米材料，由于其原子层厚度上量子局限效应，使其表现出特殊的结构和物理化学性质，尤其是可变带隙和原子层极快的电子传输速率等性质使其在制备多功能纳米复合材料开发等方面也具有非常广泛的应用前景。但是单层纳米片比表面积较大，容易在基体中发生严重的团聚堆叠，严重影响二维材料性能的发挥，因此材料良好的分散性是制备性能优良的纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单层MoS2基聚合物纳米复合材料，其特征在于，由单层MoS2纳米片和聚合物复合而成，该单层MoS2纳米片通过原位聚合方法均匀分散在聚合物基体中，单层MoS2纳米片表面与聚合物分子通过共价键相连。2.一种权利要求1所述的单层MoS2基聚合物纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将单层MoS2纳米片分散在分散媒中制得质量浓度为0.001％
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10％的分散液；(2)分散液通过原位聚合法制备单层MoS2基聚合物纳米复合材料。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述单层MoS2为粉末或悬浊液状态。4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中将单层MoS2纳米片通过超声或搅拌均匀分散在聚合物单体中制得分...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘平伟，任煊真，王德良，王文俊，李伯耿，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：