【技术实现步骤摘要】
一种半导体探测器能谱测量方法
[0001]本专利技术涉及半导体探测器
,尤其是指一种半导体探测器能谱测量方法。
技术介绍
[0002]现有的技术中,放射性核素γ衰变可发射单能γ射线,通过对γ射线的能量测量可达到对核素鉴别、定量分析及成像的目的。γ射线的物质穿透能力强,对待测物体的制样要求低,这使γ测量具有广泛的应用范围。基于此,对γ射线能量的测量在基础研究和实际应用中具有重大意义。
[0003]γ射线测量中,半导体探测器因具有优异的能量分辨率而广泛采用。用于测量γ射线的传统半导体探测器有锂漂移硅探测器和高纯锗。但锂漂移硅探测器的灵敏体积小、平均原子序数低,仅能用于低能γ射线的能量测量;高纯锗探测器需液氮的低温环境,且价格昂贵,这限制了其应用范围。针对传统半导体探测器的关键问题,研制新型的室温半导体材料是辐射探测领域的研究热点。目前,唯一商用的室温半导体仅碲锌镉,但大体积高质量的碲锌镉晶体的产额低,成本高,应用范围仍较为受限。
[0004]钙钛矿半导体是新型室温半导体,自2018年报道用于辐射测量,其能量 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体探测器能谱测量方法,其特征在于,包括:将半导体探测器每次输出的脉冲信号经电荷灵敏前置放大器放大,得到前放信号;计算信号的波形面积;统计每次输出脉冲信号对应的波形面积,经过多道计数,得到探测器测量高能射线的能谱。2.根据权利要求1所述的半导体探测器能谱测量方法,其特征在于,所述得到前放信号后包括:利用单个或多个并行的主放大器对多通道的前放信号进行滤波成形,得到主放信号。3.根据权利要求1所述的半导体探测器能谱测量方法,其特征在于,所述得到前放信号后包括:将所述前放信号分为两路,其中一路经过主放大器,得到采样电子学的触发信号,触发采样电子学采集多通道的前放信号;将采集到的前放信号经过滤波成形,得到主放信号。4.根据权利要求3所述的半导体探测器能谱测量方法,其特征在于,所述数字滤波采用CR
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RC4滤波成形算法。5.根据权利要求4所述的半导体探测器能谱测量方法,其特征在于,所述采用CR
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RC4滤波成形算法对采集到的前放信号进行滤波的公式...
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