一种近红外敏感硅光电倍增管及其制作工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种近红外敏感硅光电倍增管及其制作工艺方法，该近红外敏感硅光电倍增管包括：背电极，位于整个近红外敏感硅光电倍增管底层；外延硅片，外延硅片包括：衬底，位于背电极的表面，由低阻P型硅构成；外延层，位于衬底的表面，由外延高阻P型硅构成；N

【技术实现步骤摘要】
一种近红外敏感硅光电倍增管及其制作工艺方法


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，特别涉及一种近红外敏感硅光电倍增管及其制作工艺方法。

技术介绍

[0002]硅光电倍增管(SiPM)是具有光子数分辨能力的单光子探测器。它是由一系列工作于盖革模式的雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode, APD)微单元并联而成，微单元间相互独立并与各自的淬灭电阻串联，所有微单元通过公共电极输出信号，信号大小正比于处于激发状态的微单元数目，即正比于探测到的光子数。与传统的光电倍增管(Photomultiplier Tube, PMT)相比，SiPM工作于非真空环境因此不易损坏，SiPM体积小、不受磁场影响、功耗低、单光子分辨能力强，这些优势使得SiPM逐渐替代PMT成为具有广阔发展前景的单光子探测器，目前已广泛应用于天文物理、高能物理、激光雷达、核医学成像等需要弱光探测的领域。
[0003]近红外脑功能成像，又称为功能近红外光谱(Functional near
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infrared spectroscopy，fNI本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外敏感硅光电倍增管，其特征在于，包括：背电极，位于整个近红外敏感硅光电倍增管底层；外延硅片，所述外延硅片包括：衬底，位于所述背电极的表面，由低阻P型硅构成；外延层，位于所述衬底的表面，由外延高阻P型硅构成；N
++
掺杂区，通过在所述外延层表面注入磷原子形成；所述N
++
掺杂区深刻蚀有微纳结构阵列；所述微纳结构阵列贯穿所述N
++
掺杂区；高阻薄膜，通过在所述外延层表面制作氮化硅或者非晶硅形成；ITO顶电极，通过在所述高阻薄膜表面制备氧化铟锡形成。2.如权利要求1所述的一种近红外敏感硅光电倍增管，其特征在于，所述背电极的材质为金或铝，其厚度为0.1~10μm。3.如权利要求1所述的一种近红外敏感硅光电倍增管，其特征在于，所述微纳结构阵列的周期为2
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20微米，占空比为50%
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90%。4.如权利要求1或3所述的一种近红外敏感硅光电倍增管，其特征在于，所述微纳结构阵列为2维光栅周期结构。5.如权利要求1所述的一种近红外敏感硅光电倍增管，其特征在于，所述低阻P型硅的硼掺杂浓度为10
18
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10
20
/cm3，厚度为50
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500μm。6.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：段洪峰，颜晓舟，林晋选，
申请(专利权)人：北京心灵方舟科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：