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本发明公开了一种近红外敏感硅光电倍增管及其制作工艺方法，该近红外敏感硅光电倍增管包括：背电极，位于整个近红外敏感硅光电倍增管底层；外延硅片，外延硅片包括：衬底，位于背电极的表面，由低阻P型硅构成；外延层，位于衬底的表面，由外延高阻P型硅构成...
该专利属于北京心灵方舟科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京心灵方舟科技发展有限公司授权不得商用。

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