具有双光纤光锥结构的像增强器及像增强型探测成像系统技术方案

本发明专利技术是关于一种具有双光纤光锥结构的像增强器及像增强型探测成像系统，所述像增强器包括：壳体；电子倍增元件，其设置于所述壳体内；阴极输入窗，其设置于所述电子倍增元件的输入端，并与所述壳体连接；光电阴极，其设置于所述壳体内，并与所述阴极输入窗连接；以及阳极输出窗，其设置于所述电子倍增元件的输出端，并与所述壳体连接。本发明专利技术中像增强器或光电倍增管的输入、输出端面结构上与传统有所不同，通过这种新颖的结构设计，可有效减少元件的耦合界面数量，提高耦合效率，并且在不增加图像传感器如ICMOS或ICCD器件体积，甚至于减小体积的前提下扩大观测视野。小体积的前提下扩大观测视野。小体积的前提下扩大观测视野。

【技术实现步骤摘要】
具有双光纤光锥结构的像增强器及像增强型探测成像系统


[0001]本专利技术属于像增强型探测成像领域，具体地说涉及一种大视野、高分辨率、高对比度和高耦合效率的具有双光纤光锥结构的像增强器及像增强型探测成像系统。

技术介绍

[0002]光纤光锥可以广泛应用于国防、科研、刑侦、航天、医疗等领域的CCD或CMOS、像增强器和光电倍增管的耦合，并且在高能射线成像、新型指纹识别、医疗检测装置、高清晰度电视成像等方面都有所应用。近些年来，随着图像数字化处理技术的迅速发展，高保真图像的采集、存储和传输变得十分便捷。但是人们在战争、科研、生产和医疗等过程中，往往需要对肉眼看不见的微弱图像或射线进行探测、分析和处理，例如需要在无光照条件下的夜间进行观察；需要对发出射线的物体进行成像分析；需要对高速运动的飞行器进行跟踪、识别等等。在这些情况下，图像的亮度通常只有10
‑3～10
‑4坎德拉，甚至更低，可探测的信号极其微弱。因此必须把图像增强后再进行观测、处理与分析，利用光纤光锥耦合CCD/CMOS与光电倍增管或像增强器(即ICCD或ICMOS)是实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像增强器，其特征在于，包括：壳体；电子倍增元件，其设置于所述壳体内；阴极输入窗，其设置于所述电子倍增元件的输入端，并与所述壳体连接；以及阳极输出窗，其设置于所述电子倍增元件的输出端，并与所述壳体连接。2.如权利要求1所述的像增强器，其特征在于，所述电子倍增元件为玻璃质微通道板、硅微通道板或阳极氧化铝微通道板；所述电子倍增元件位于阴极输入窗和阳极输出窗之间；所述阴极输入窗、壳体及阳极输出窗构成真空密封结构。3.如权利要求1所述的像增强器，其特征在于，所述阴极输入窗和电子倍增元件之间形成前端真空间隙，所述电子倍增元件和阳极输出窗之间形成后端真空间隙。4.如权利要求3所述的像增强器，其特征在于，所述阴极输入窗包括前级光纤光锥以及沉积于所述前级光纤光锥的输出端面的光电阴极；所述阳极输出窗包括后级光纤光锥以及设置于所述后级光纤光锥的输出端面的荧光粉层。5.如权利要求4所述的像增强器，其特征在于，所述荧光粉层的材质选自P11荧光粉、P20荧光粉、P22荧光粉和P45荧光粉中的一种。6.如权利要求4所述的像增强器，其特征在于，所述前、后级光纤光锥包括依次连接为一体的输入端部、过渡部和输出端部；所述过渡部位于所述输入端部和所述输出端部之间，所述输入端部的横截面积大于所述输出端部的横截面积，且所述过渡部一端的横截面积与所述输入端部的横截面积相同，所述过渡部另一端的横截面积与所述输出端部的横截面积相同；所述光学纤维锥内的光学纤维平行地设置。7.如权利要求6所述的像增强器，其特征在于，所述输入端部和输出端部均为直区结构，所述输入端部的直区长度不小于5mm；所述输出端部的直区长度不小于2mm。8.如权利要求6所述的像增强器，其特征在于，所述前级光纤光锥由多根光纤组成，所述光纤包括皮层和芯层，所述皮层由硅酸盐玻璃皮料管制成，所述芯层由铅硅酸盐玻璃芯料棒制成，所述硅酸盐玻璃皮料管与铅硅酸盐玻璃芯料棒之间插入有吸收丝，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永刚，付杨，王久旺，王云，周游，张敬，宋普光，
申请(专利权)人：中国建筑材料科学研究总院有限公司，
类型：发明
国别省市：