使用图案匹配的布局与原理图比对（LVS）器件提取制造技术

提供了使用图案匹配的布局与原理图比对(LVS)器件提取。一种方法包括获得目标集成电路(IC)布局；访问储存库；通过将目标IC布局的区域与源图案进行匹配来标识目标IC布局内的器件；并且用替换图案替换该目标IC布局的区域的至少一部分。储存库存储用于器件的源图案和与源图案对应的替换图案。与源图案对应的替换图案。与源图案对应的替换图案。

【技术实现步骤摘要】
使用图案匹配的布局与原理图比对(LVS)器件提取
[0001]相关申请
[0002]本申请要求根据美国法典第35章第119(e)条要求于2021年4月30日提交的美国专利临时申请第63/182,513号的权益，出于所有目的，该申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开总体上涉及电子设计自动化(EDA)系统。特别地，本公开涉及使用图案匹配的布局与原理图比对(LVS)器件提取。

技术介绍

[0004]在集成电路设计和制造中，下线(tape
‑
out)之前的物理验证包括设计规则检查(DRC)和布局与原理图比对(LVS)。DRC检查布局规则以确保可以可靠地制造电路设计。LVS检查电路设计的网表的功能正确性。LVS检查将从布局中提取的网表与原始的原理图网表进行比较，以确定它们是否匹配。

技术实现思路

[0005]在一些方面，一种方法包括获得目标集成电路(IC)布局，访问储存库，通过将目标IC布局的区域与源图案进行匹配来标识目标IC布局内的器件，并且用替换图案替换目标IC布局的区域的至少一部分。储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：获得目标集成电路IC布局；访问储存库，所述储存库存储：用于器件的源图案；以及替换图案，与所述源图案对应；使用一个或多个处理器，通过将所述目标IC布局的区域与所述源图案进行匹配，来标识所述目标IC布局内的所述器件；以及使用所述一个或多个处理器，用所述替换图案替换所述目标IC布局的所述区域的至少一部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述源图案包括多个器件层，所述多个器件层包括多晶层。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述替换图案包括多个标记层，所述多个标记层包括主体层或端子层。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述匹配包括缩放所述源图案的尺寸。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：从制造商数据库中获取与单元相关联的信息；以及通过将布尔运算应用到所述单元的器件层来生成所述替换图案。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：将标识符与所述单元相关联；以及基于所述标识符来提取所述替换图案。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述储存库包括与所述源图案相关联的大小信息，并且所述方法还包括：基于所述大小信息来标识所述器件。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：基于所述替换图案的相对位置，从所述源图案的图案范围中确定所述替换图案。9.一种系统，包括：储存库，所述储存库存储：用于器件的源图案；以及替换图案，与所述源图案对应；存储器，所述存储器存储指令；以及处理器，所述处理器与所述存储器耦合并且执行所述指令，所述指令在被执行时，使所述处理器：获得目标集成电路IC布局；通过将所述目标IC布局的区域与所述源图案进行匹配，来标识所述目标IC布局内的所述器件；以及用所述替换图案替换所述目标IC布局的所述区域的至少一部分。10.根据权利要求9所述的系统，其中所述源图案包括多个器件层，所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美商新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：