一种化学机械研磨方法技术

一种化学机械研磨方法，包括：获取对当前第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨时间的设置值；获取第一片晶圆至第n

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械研磨方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种化学机械研磨方法。

技术介绍

[0002]化学机械抛光设备是一种利用研磨液及机械研磨的方式，对半导体晶圆进行全局平坦化的设备。随着集成电路制造技术的发展，化学机械抛光设备需要能够控制晶圆表面薄膜的去除量。化学机械抛光设备在研磨时，抛光头吸附晶圆并施加下压力，让晶圆与粘贴在抛光盘上抛光垫充分接触，同时在晶圆和抛光盘之间注入研磨液，利用腐蚀和研磨的综合作用，去除晶圆表面薄膜并使晶圆平坦化。
[0003]现有化学机械抛光设备在进行平坦化时，通常会根据经验预先设置固定的工艺参数进行研磨，如研磨液流量及研磨时间等。这些工艺参数根据经验设置，未考虑到运行过程中设备状态及晶圆状态的不同。设备状态的不同会引起研磨液流量的不稳定，与设置值出现差异。这就导致容易出现晶圆表面薄膜抛光不足或抛光过度的现象。因此需要研磨量的控制的精确度需要提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种化学机械研磨方法，包括：步骤S1:获取对当前第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨时间的设置值，n为大于或等于2的整数；步骤S2:获取第一片晶圆至第n
‑
1片晶圆的研磨液实际流量；步骤S3:根据采用自回归模型以及第一片晶圆至第n
‑
1片晶圆的研磨液实际流量获取第n片晶圆的研磨液预测流量，自回归模型为其中，x(n)为第n片晶圆的研磨液预测流量，p为自回归模型的阶数,x(n
‑
i)为第n
‑
i片晶圆的研磨液实际流量；w(n)为针对第n片晶圆的白噪声系数；p为大于或等于1且小于或等于n
‑
1的整数；i为大于或等于1且小于或等于p的整数；α
i
为自回归模型中对于第n
‑
i片晶圆的自回归系数；步骤S4:若第n片晶圆的研磨液预测流量大于第n片晶圆的研磨液流量的设置值，则设置第n片晶圆的研磨液预测时间小于第n片晶圆的研磨时间的设置值；若第n片晶圆的研磨液预测流量小于第n片晶圆的研磨液流量的设置值，则设置第n片晶圆的研磨液预测时间大于第n片晶圆的研磨时间的设置值；步骤S5:根据第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨液预测时间对第n片晶圆进行研磨。
[0005]可选的，对于第n片晶圆的研磨液预测流量，系数α1、、、、、α
p
、w(n)的获取步骤包括：提供矩阵方程，所述矩阵方程为
[0006][0007]R
xx
(m)的表达式为E[x(n)x(n
‑
m)]；m为大于或等于0且小于或等于p的整数，E[x(n)x(n
‑
m)]表示m从0至p取值时对应的x(n)x(n)至x(n)x(n
‑
p)的均值；利用Levinson
‑
Durbin迭代算法获取矩阵方程中的α1、、、、、α
p
、σ2；将σ2作为w(n)。
[0008]可选的，第n片晶圆的研磨液预测流量和第n片晶圆的研磨液预测时间的乘积等于第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨时间的设置值的乘积。
[0009]本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
[0010]本专利技术的技术方案提供的化学机械研磨方法，采用自回归模型预测第n片晶圆的研磨液预测流量，若第n片晶圆的研磨液预测流量大于第n片晶圆的研磨液流量的设置值，则设置第n片晶圆的研磨液预测时间小于第n片晶圆的研磨时间的设置值；若第n片晶圆的研磨液预测流量小于第n片晶圆的研磨液流量的设置值，则设置第n片晶圆的研磨液预测时间大于第n片晶圆的研磨时间的设置值；根据第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨液预测时间对第n片晶圆进行研磨。这样使得第n片晶圆的研磨液预测流量和第n片晶圆的研磨液预测时间的乘积前面的研磨的实际流量和实际研磨时间的乘积相近，这样避免第n片晶圆表面薄膜抛光不足或抛光过度的现象，因此能提高对第n片晶圆的研磨量的控制的精确度。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为一种化学机械研磨方法的流程图。
具体实施方式
[0013]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0014]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0015]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0016]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0017]本专利技术一实施例提供一种化学机械研磨方法，参考图1，包括以下步骤：
[0018]步骤S1:获取对当前第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨时间的设置值，n为大于或等于2的整数；
[0019]步骤S2:获取第一片晶圆至第n
‑
1片晶圆的研磨液实际流量；
[0020]步骤S3:根据采用自回归模型以及第一片晶圆至第n
‑
1片晶圆的研磨液实际流量获取第n片晶圆的研磨液预测流量，自回归模型为其中，x(n)为第n片晶圆的研磨液预测流量，p为自回归模型的阶数,x(n
‑
i)为第n
‑
i片晶圆的研磨液实际流量；w(n)为针对第n片晶圆的白噪声系数；p为大于或等于1且小于或等于n
‑
1的整数；i为大于或等于1且小于或等于p的整数；α
i
为自回归模型中对于第n
‑
i片晶圆的自回归系数；
[0021]步骤S4:若第n片晶圆的研磨液预测流量大于所述第n片晶圆的研磨液流量的设置值，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：步骤S1:获取对当前第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨时间的设置值，n为大于或等于2的整数；步骤S2:获取第一片晶圆至第n
‑
1片晶圆的研磨液实际流量；步骤S3:根据采用自回归模型以及第一片晶圆至第n
‑
1片晶圆的研磨液实际流量获取第n片晶圆的研磨液预测流量，自回归模型为其中，x(n)为第n片晶圆的研磨液预测流量，p为自回归模型的阶数,x(n
‑
i)为第n
‑
i片晶圆的研磨液实际流量；w(n)为针对第n片晶圆的白噪声系数；p为大于或等于1且小于或等于n
‑
1的整数；i为大于或等于1且小于或等于p的整数；α
i
为自回归模型中对于第n
‑
i片晶圆的自回归系数；步骤S4:若第n片晶圆的研磨液预测流量大于第n片晶圆的研磨液流量的设置值，则设置第n片晶圆的研磨液预测时间小于第n片晶圆的研磨时间的设置值；若第n片晶圆的研磨液预测流量小于第n片晶圆的研磨液流量的设置值，...

【专利技术属性】
技术研发人员：白琨，李嘉浪，周庆亚，贾若雨，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：