一种晶圆双面清洗装置及清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶圆双面清洗装置以及清洗方法，晶圆双面清洗装置包括支撑机构和一对清洗机构，所述支撑机构设置有旋转台，所述旋转台上设置有晶圆；在所述旋转台旋转时，所述晶圆随同所述旋转台进行旋转；一对清洗机构分别设置在所述晶圆的上侧和下侧；在外力作用下，所述清洗机构具有与所述晶圆贴合的第一状态，以及与所述晶圆分离的第二状态；一对清洗机构均与所述晶圆贴合后，同步在所述晶圆的上表面和下表面沿所述晶圆的径向方向进行往复运动。在本发明专利技术中，通过设置上述机构，能够避免晶圆变形或破裂，进入提供了晶圆的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种晶圆双面清洗装置及清洗方法。

技术介绍

1、在半导体制造领域中，通常需要对晶圆进行化学机械抛光工艺，而对晶圆进行化学机械抛光时，需要使用到化学研磨液，但晶圆完成抛光后，晶圆表面会附着大量研磨液颗粒和研磨副产物，因而需要对晶圆表面进行清洗，但现有的清洗装置通常为单面清洗，且在清洗过程中，晶圆表面洗刷压力不能太大，否则会导致晶圆翘起或破裂。

技术实现思路

1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中由于现有的清洗装置无法对晶圆表面进行双面清洗而导致晶圆翘起或破裂的缺陷。

2、为此，本专利技术提供了一种晶圆双面清洗装置，包括：

3、支撑机构，设置有旋转台，所述旋转台上设置有晶圆；在所述旋转台旋转时，所述晶圆随同所述旋转台进行旋转；

4、一对清洗机构，分别设置在所述晶圆的上侧和下侧；在外力作用下，所述清洗机构具有与所述晶圆贴合的第一状态，以及与所述晶圆分离的第二状态；

5、一对清洗机构均与所述晶圆贴合后，同步在所述晶圆的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆双面清洗装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述支撑机构(1)是由多个旋转轴(11)构成，所述旋转轴(11)适于带动所述晶圆(100)转动。

3.根据权利要求2所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述旋转轴(11)靠近所述晶圆(100)的一端设置有卡槽，所述卡槽适于卡接所述晶圆(100)。

4.根据权利要求3所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述清洗机构(2)包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述清洗组件(21)包括：

6.根据权利要求5所述的...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆双面清洗装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述支撑机构(1)是由多个旋转轴(11)构成，所述旋转轴(11)适于带动所述晶圆(100)转动。

3.根据权利要求2所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述旋转轴(11)靠近所述晶圆(100)的一端设置有卡槽，所述卡槽适于卡接所述晶圆(100)。

4.根据权利要求3所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述清洗机构(2)包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述清洗组件(21)包括：

6.根据权利要求5所述的晶圆双面清洗装置，其特征在于，所述晶圆(100)表面依次设置有不同圆环...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒福璋，石启鹏，李伟，尹影，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：