聚酰亚胺系膜制造技术

本发明专利技术涉及聚酰亚胺系膜。一种聚酰亚胺系膜，其包含含有来自四羧酸酐的结构单元(A)和来自二胺的结构单元(B)的聚酰亚胺系树脂，所述聚酰亚胺系膜的式1所定义的面内取向指数为58以上。式1中，FWHM表示在2θ＝16

【技术实现步骤摘要】
聚酰亚胺系膜


[0001]涉及可在能应对高频带用的印刷电路基板、天线基板的基板材料等中利用的聚酰亚胺系膜及其制造方法、以及包含该聚酰亚胺系膜的层叠膜及柔性印刷电路基板。

技术介绍

[0002]柔性印刷电路基板(以下，有时记载为FPC)薄且轻量，具有挠性，因此能实现立体性的、高密度的安装，被用于移动电话、硬盘等许多电子设备中，有助于其小型化、轻量化。以往，在FPC中，广泛使用了耐热性、机械物性、电绝缘性优异的聚酰亚胺树脂，例如，作为用于FPC的覆铜层叠板(以下，有时省略为CCL)等覆金属层叠板，已知有在单层或多层的聚酰亚胺膜的一面或两面具有铜箔层的层叠体。
[0003]近年来，被称为5G的第五代移动通信系统正在彻底地普及(例如专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2021
‑
161285号公报

技术实现思路

[0005]但是，在应用了以往所使用的聚酰亚胺材料的覆金属层叠板中，在对用于5G通信的高频信号进行传输时，传输损耗大，产生电信号的损耗、信号的延迟时间变长等不良情况。因此，以传输损耗的降低为目的而研究了介质损耗角正切(以下，有时记载为Df)及相对介电常数(以下，有时记载为Dk)低的聚酰亚胺膜，但并未发现相对介电常数及介质损耗角正切充分低的聚酰亚胺膜。
[0006]因此，本专利技术的目的在于提供：能形成高频带中的传输损耗低的CCL等覆金属层叠板的、Df低的聚酰亚胺系膜及其制造方法；以及包含该聚酰亚胺系膜的层叠膜及柔性印刷电路基板。
[0007]本申请的专利技术人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，通过以特定的条件调整聚酰亚胺系树脂的高次结构，可得到降低了Df的聚酰亚胺系膜，从而完成了本专利技术。即，本专利技术提供以下的优选方式。
[0008][1]聚酰亚胺系膜，其包含含有来自四羧酸酐的结构单元(A)和来自二胺的结构单元(B)的聚酰亚胺系树脂，所述聚酰亚胺系膜的式1所定义的面内取向指数为58以上。
[0009]面内取向指数＝[(180
‑
FWHM)/180]×
100(式1)
[0010][式1中，FWHM表示在2θ＝16
°
的方位角分布中、在与前述膜的ND方向对应的方位角处出现的峰的半峰宽，所述方位角分布是通过透射法X射线衍射测定的二维衍射图像的解析得到的，所述二维衍射图像是与前述膜的TD方向平行地射入X射线而测定的。][0011][2]如[1]所述的聚酰亚胺系膜，所述聚酰亚胺系膜的由式2表示的分子周期性指数为7.0以上。
[0012]分子周期性指数＝I(16
°
)/I(min)(式2)
[0013][式2中，I(16
°
)表示通过反射法X射线衍射测定而得到的衍射强度分布中2θ1＝15.5～16.5
°
处的衍射强度的最大值，
[0014]I(min)表示通过反射法X射线衍射测定而得到的衍射强度分布中2θ1＝20～30
°
处的衍射强度的最小值。][0015][3]如[1]或[2]所述的聚酰亚胺系膜，所述聚酰亚胺系膜的由式3定义的面内各向异性指数A为0.8以上1.2以下，由式4定义的面内各向异性指数B大于1.1。
[0016]面内各向异性指数A＝I(MD)/I(TD)
ꢀꢀꢀꢀ
(式3)
[0017]面内各向异性指数B＝I(MAX)/I(MIN)
ꢀꢀꢀꢀ
(式4)
[0018][式3及式4中，在2θ2＝16
°
的方位角分布中，I(MD)表示与前述膜的MD方向对应的衍射强度，I(TD)表示与TD方向对应的衍射强度，I(MAX)表示衍射强度的最大值，I(MIN)表示衍射强度的最小值，所述方位角分布是通过透射法X射线衍射测定的二维衍射图像的解析得到的，所述二维衍射图像是与前述膜的ND方向平行地射入X射线而测定的。][0019][4]如[1]～[3]中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A)包含来自含有酯键的四羧酸酐的结构单元(A1)。
[0020][5]如[1]～[4]中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A)包含来自含有联苯骨架的四羧酸酐的结构单元(A2)。
[0021][6]如[5]所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A)满足式(X)的关系。
[0022](除前述结构单元(A1)及前述结构单元(A2)以外的来自四羧酸酐的结构单元的含量)/(前述结构单元(A1)及前述结构单元(A2)的总量)<1.1(X)
[0023][7]如[4]～[6]中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A1)为来自式(a1)表示的四羧酸酐的结构单元(a1)。
[0024][0025][式(a1)中，Z表示2价有机基团，
[0026]R
a1
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，
[0027]s彼此独立地表示0～3的整数][0028][8]如[5]～[7]中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A2)为来自式(a2)表示的四羧酸酐的结构单元(a2)。
[0029][0030][式(a2)中，R
a2
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，
[0031]t彼此独立地表示0～3的整数][0032][9]如[1]～[8]中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(B)包含来自含有联苯骨架的二胺的结构单元(B1)。
[0033][10]如[9]所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(B1)为来自式(b1)表示的二胺的结构单元(b1)。
[0034][0035][式(b1)中，R
b1
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，
[0036]p表示0～4的整数][0037][11]如[9]或[10]所述的聚酰亚胺系膜，其中，相对于前述结构单元(B)的总量而言，前述结构单元(B1)的含量大于30摩尔％。
[0038][12]如[1]～[11]中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(B)包含来自式(b2)表示的二胺的结构单元(b2)。
[0039][0040][式(b2)中，R
b2
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，R
b2
中包含的氢原子彼此独立地可以被卤素原子取代，
[0041]W彼此独立地表示
‑
O
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
CH2‑
CH2‑
、
‑
CH(CH3)
‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C(CF3)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.聚酰亚胺系膜，其包含含有来自四羧酸酐的结构单元(A)和来自二胺的结构单元(B)的聚酰亚胺系树脂，所述聚酰亚胺系膜的式1所定义的面内取向指数为58以上，面内取向指数＝[(180
‑
FWHM)/180]
×
100(式1)式1中，FWHM表示在2θ＝16
°
的方位角分布中、在与所述膜的ND方向对应的方位角处出现的峰的半峰宽，所述方位角分布是通过透射法X射线衍射测定的二维衍射图像的解析得到的，所述二维衍射图像是与所述膜的TD方向平行地射入X射线而测定的。2.如权利要求1所述的聚酰亚胺系膜，所述聚酰亚胺系膜的由式2表示的分子周期性指数为7.0以上，分子周期性指数＝I(16
°
)/I(min)(式2)式2中，I(16
°
)表示通过反射法X射线衍射测定而得到的衍射强度分布中2θ1＝15.5～16.5
°
处的衍射强度的最大值，I(min)表示通过反射法X射线衍射测定而得到的衍射强度分布中2θ1＝20～30
°
处的衍射强度的最小值。3.如权利要求1或2所述的聚酰亚胺系膜，所述聚酰亚胺系膜的由式3定义的面内各向异性指数A为0.8以上1.2以下，由式4定义的面内各向异性指数B大于1.1，面内各向异性指数A＝I(MD)/I(TD)(式3)面内各向异性指数B＝I(MAX)/I(MIN)(式4)式3及式4中，在2θ2＝16
°
的方位角分布中，I(MD)表示与所述膜的MD方向对应的衍射强度，I(TD)表示与TD方向对应的衍射强度，I(MAX)表示衍射强度的最大值，I(MIN)表示衍射强度的最小值，所述方位角分布是通过透射法X射线衍射测定的二维衍射图像的解析得到的，所述二维衍射图像是与所述膜的ND方向平行地射入X射线而测定的。4.如权利要求1～3中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A)包含来自含有酯键的四羧酸酐的结构单元(A1)。5.如权利要求1～4中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A)包含来自含有联苯骨架的四羧酸酐的结构单元(A2)。6.如权利要求5所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A)满足式(X)的关系，(除所述结构单元(A1)及所述结构单元(A2)以外的来自四羧酸酐的结构单元的含量)/(所述结构单元(A1)及所述结构单元(A2)的总量)<1.1(X)。7.如权利要求4～6中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A1)为来自式(a1)表示的四羧酸酐的结构单元(a1)，式(a1)中，Z表示2价有机基团，R
a1
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，s彼此独立地表示0～3的整数。8.如权利要求5～7中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A2)为来自式
(a2)表示的四羧酸酐的结构单元(a2)，式(a2)中，R
a2
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，t彼此独立地表示0～3的整数。9.如权利要求1～8中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(B)包含来自含有联苯骨架的二胺的结构单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚田洋行，小沼勇辅，高田敦弘，桑崎直人，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：