陶瓷结构体制造技术

本发明专利技术的陶瓷结构体，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，第1主面高于第2主面。面高于第2主面。面高于第2主面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷结构体


[0001]本专利技术涉及陶瓷结构体。

技术介绍

[0002]历来，一个表面与另一个表面具有不同的表面电阻率的半导电性片，例如，被用于图像形成装置用部件、电磁屏蔽材、防静电材等。作为这样的半导电性片，例如在专利文献1中公开有一种由聚酰亚胺和掺杂状态的聚苯胺的共混聚合物构成的半导电性片。在专利文献1中记述有半导电性片的一个表面的表面电阻率是另一个表面的表面电阻率的至少10倍。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平8－259810号公报

技术实现思路

[0006]本专利技术的陶瓷结构体，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，第1主面高于第2主面。
附图说明
[0007]图1是表示本专利技术的第一实施方式的陶瓷结构体的说明图。
[0008]图2(A)是表示本专利技术的第二实施方式的陶瓷结构体的说明图，(B)是表示本专利技术的第三实施方式的陶瓷结构体的说明图。
[0009]图3(A)是表示本专利技术的第四实施方式的陶瓷结构体的说明图，(B)是表示本专利技术的第五实施方式的陶瓷结构体的说明图。
[0010]图4是表示在400nm～700nm的波长范围内的、本专利技术的一个实施方式的陶瓷结构体的第1主面的反射率的图。
[0011]图5(A)是表示本专利技术的一个实施方式的陶瓷结构体的第1主面的电子显微镜照片，(B)是显示本专利技术的一个实施方式的陶瓷结构体的第1主面上碳分布的电子显微镜照片。
[0012]图6(A)是表示本专利技术的一个实施方式的陶瓷结构体的第2主面的电子显微镜照片，(B)是显示本专利技术的一个实施方式的陶瓷结构体的第2主面上碳分布的电子显微镜照片。
[0013]图7是表示设置于等离子体处理装置的处理容器的内部的载置台的概略剖视图。
[0014]图8是表示设置于等离子体处理装置的处理容器的内部的载置台的概略剖视图。
具体实施方式
[0015]专利文献1所述的半导电性片，由树脂形成。因此，缺乏耐酸性，在与硫酸或磷酸等酸接触时，劣化显著而不能长期使用。因此需要一种陶瓷结构体，其具有优异的耐酸性，即使与酸接触也难以劣化，能够长期使用。
[0016]本专利技术的陶瓷结构体，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，第1主面高于第2主面。因此，根据本专利技术，能够提供一种陶瓷结构体，其具有优异的耐酸性，即使与酸接触也难以劣化，能够长期使用。
[0017]本专利技术的陶瓷结构体，如上述，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面。基于图1～3说明本专利技术的陶瓷结构体。
[0018]如图1所示，本专利技术的第一个实施方式的陶瓷结构体1，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛。在本说明书中所谓“主要成分”，是指构成陶瓷的成分合计100质量％中占80质量％以上的成分。陶瓷中所含各成分的鉴定，以使用CuKα射线的X射线衍射装置进行，各成分的含量，例如通过ICP(Inductively Coupled Plasma)发光分光分析装置或X射线荧光分析装置求得即可。
[0019]第一实施方式的陶瓷结构体1，具有第1主面11a、和与第1主面11a相对的第2主面11b。第一实施方式的陶瓷结构体1，只要像上述这样含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛作为主要成分，也可以包含陶瓷所使用的其他成分。作为这样的其他成分，如果是含有碳化硅或碳氮化硅的陶瓷，例如，则可列举碳化硼、碳、铁、铝、钛、钙、硫等。如果是含有碳化钛或碳氮化钛作为主要成分的陶瓷，则可列举碳化钨、钼、铌、钽、钒、钴等。如果是含有碳化钛或碳氮化钛作为主要成分的陶瓷，则可列举碳化钨、钼、铌、钽、钒、钴等。
[0020]在第一实施方式的陶瓷结构体1中，碳浓度并非均匀。第1主面11a的碳浓度高于第2主面11b的碳浓度。在图1中，以圆点表示碳浓度高的部分。基于这种结构，第一实施方式的陶瓷结构体1具有优异的耐酸性，即使与酸接触也难以劣化，能够长期使用。此外，更容易去除静电，或陶瓷结构体在等离子体空间内使用时，能够抑制等离子体形成的火花发生。
[0021]碳浓度根据电子探针显微分析仪的元素映射求得。碳，例如，包括从石墨、石墨烯、碳纳米管、富勒烯和无定形碳所构成的群中选择的至少一种形态。
[0022]所谓电子探针显微分析仪的元素映射，是利用能量色散型X射线分析装置(EDS)进行元素分析的方法。具体来说，就是如下方法：通过扫描电子显微镜(SEM)在规定分析范围(例如以1500倍拍摄的范围)内检测出的元素的峰值强度ZAF修正法，进行以合计浓度为100％的方式近似计算的半定量分析，得出规定元素相对于主要成分元素的比率。元素映射中采用的加速电压为15kv。
[0023]碳浓度高的部分，即使是距第1主面11a深，相对于陶瓷结构体1的厚度(从第1主面11a至第2主面11b的长度)，例如为0.001％以上至1％以下程度的深度。
[0024]在第一实施方式的陶瓷结构体1中，第1主面11a是平面。但是，第1主面11a不需要是平面，例如，第1主面11a的至少一部分可以突出，也可以凹陷。
[0025]图2是表示第1主面11a的至少一部分突出的实施方式。具体来说，第二实施方式的陶瓷结构体2，如图2(A)所示，在第1主面11a的至少一部分，具有从第1主面11a突出的至少1个凸部12。凸部12包括：以从第1主面11a突出的方式形成的侧面121；形成于该侧面121的端部的上表面122。
[0026]侧面121相对于第1主面11a大致垂直地形成。凸部12的高度、即侧面121的长度没有限定，可根据陶瓷结构体2的用途适宜设定。凸部12，例如，可以具有陶瓷结构体2厚度(从第1主面11a至第2主面11b的长度，下同)的10％以上且1000％以下大小的高度。特别是凸部12的高度，可以是陶瓷结构体2的厚度的20％以上且80％以下。
[0027]在第二实施方式的陶瓷结构体2中，碳浓度也并非均匀。第1主面11a的碳浓度高于第2主面11b的碳浓度，且凸部12的侧面121和凸部12的上表面122的至少一方的碳浓度也高于第2主面11b。在图2(A)中，用圆点表示碳浓度高的部分。
[0028]在凸部12的侧面121和凸部12的上表面122碳浓度高的部分，即使是距侧面121和上表面122深，相对于陶瓷结构体1的厚度，例如为截止到1％左右的深度。根据陶瓷结构体2的厚度和凸部12的大小，可以是在凸部12整体中碳浓度高。
[0029]这样，凸部12的侧面121和凸部12的上表面122的至少一方的碳浓度高于第2主面11b一侧时，即使在第1主面11a具有凸部12，也可以经由凸部12有效率地除去静电。
[0030]接着，第三实施方式的陶瓷结构体3，如图2(B)所示，在第1主面11a的至少一部分，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种陶瓷结构体，其中，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，所述第1主面高于所述第2主面。2.根据权利要求1所述的陶瓷结构体，其中，所述第1主面是具有切削痕的烧成面。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分，还具有从所述第1主面突出的至少1个凸部，与所述第2主面相比，所述凸部的侧面和所述凸部的上表面中的至少一方的所述碳浓度高。4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分，还具有以从所述第1主面进行弯曲的方式突出的至少1个隆起部，与所述第2主面相比，所述隆起部的壁面的所述碳浓度高。5.根据权利要求1～4中任一项所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分还具有凹陷的至少1个凹部，与所述第2主面相比，所述凹部的侧面和所述凹部的底面中的至少一方的所述碳浓度高。6.根据权利要求1～5中任一项所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分，还具有以弯曲的方式凹陷的至少1个下陷部，与所述第2主面相比，所述下陷部的壁面的所述碳浓度高。7.根据权利要求1～6中任一项所述的陶瓷结构体，其中，所述第1主面、所述凸部的侧面、所述凸部的上表面、所述隆起部的壁面、所述凹部的侧面、所述凹部的底面和所述下陷部的壁面中的至少1个，所述元素映射的对象区域内的碳的统计数相对于硅和钛的统计数的比率为0.01以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的陶瓷结构体，其中，所述第1主面、所述凸部的侧面、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：浜岛浩，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：