陶瓷结构体制造技术

本发明专利技术的陶瓷结构体，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，第1主面高于第2主面。面高于第2主面。面高于第2主面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷结构体


[0001]本专利技术涉及陶瓷结构体。

技术介绍

[0002]历来，一个表面与另一个表面具有不同的表面电阻率的半导电性片，例如，被用于图像形成装置用部件、电磁屏蔽材、防静电材等。作为这样的半导电性片，例如在专利文献1中公开有一种由聚酰亚胺和掺杂状态的聚苯胺的共混聚合物构成的半导电性片。在专利文献1中记述有半导电性片的一个表面的表面电阻率是另一个表面的表面电阻率的至少10倍。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平8－259810号公报

技术实现思路

[0006]本专利技术的陶瓷结构体，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，第1主面高于第2主面。
附图说明
[0007]图1是表示本专利技术的第一实施方式的陶瓷结构体的说明图。
[0008]图2(A)是表示本专利技术的第二实施方式的陶瓷结构体的说明图，(B)是表示本专利技术的第三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种陶瓷结构体，其中，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，所述第1主面高于所述第2主面。2.根据权利要求1所述的陶瓷结构体，其中，所述第1主面是具有切削痕的烧成面。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分，还具有从所述第1主面突出的至少1个凸部，与所述第2主面相比，所述凸部的侧面和所述凸部的上表面中的至少一方的所述碳浓度高。4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分，还具有以从所述第1主面进行弯曲的方式突出的至少1个隆起部，与所述第2主面相比，所述隆起部的壁面的所述碳浓度高。5.根据权利要求1～4中任一项所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分还具有凹陷的至少1个凹部，与所述第2主面相比，所述凹部的侧面和所述凹部的底面中的至少一方的所述碳浓度高。6.根据权利要求1～5中任一项所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分，还具有以弯曲的方式凹陷的至少1个下陷部，与所述第2主面相比，所述下陷部的壁面的所述碳浓度高。7.根据权利要求1～6中任一项所述的陶瓷结构体，其中，所述第1主面、所述凸部的侧面、所述凸部的上表面、所述隆起部的壁面、所述凹部的侧面、所述凹部的底面和所述下陷部的壁面中的至少1个，所述元素映射的对象区域内的碳的统计数相对于硅和钛的统计数的比率为0.01以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的陶瓷结构体，其中，所述第1主面、所述凸部的侧面、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：浜岛浩，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：