显示设备和制造其的方法技术

本发明专利技术涉及显示设备和制造其的方法。该显示设备可容易与载体基板分开。制造显示设备的方法包括：在载体基板上形成包括硅氧化物的第一无机层；通过使用一氧化二氮气体等离子体处理第一无机层；在等离子体处理之后，在第一无机层上形成显示基板；在显示基板上面形成显示元件层；和将显示基板与载体基板分开。和将显示基板与载体基板分开。和将显示基板与载体基板分开。

【技术实现步骤摘要】
显示设备和制造其的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并且要求于2021年11月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0167722号的优先权，其公开通过引用以其整体并入本文。


[0003]一个或多个实施方式大体上涉及显示设备和制造其的方法，并且更具体地，涉及能够容易与载体基板分开的显示设备和制造其的方法。

技术介绍

[0004]一般而言，柔性的显示设备的制造包括在载体基板上形成柔性的显示基板的工艺。在显示基板(形成在载体基板上)上形成显示元件层之后，将显示基板与载体基板分开，以制造显示设备。

技术实现思路

[0005]然而，根据相关领域制造显示设备的方法涉及到难以将显示基板与载体基板分开的问题。
[0006]一个或多个实施方式包括可容易与载体基板分开的显示设备，然而，上面的目标为示例，并且本公开的实施方式的范围不受上面的目标的限制。
[0007]另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括下述步骤：在载体基板上形成包括硅氧化物的第一无机层；通过使用一氧化二氮(N2O)气体等离子体处理第一无机层；在等离子体处理之后，在第一无机层上形成显示基板；形成设置在显示基板上的显示元件层；和将显示基板与载体基板分开。
[0009]等离子体处理第一无机层可通过等离子体处理第一无机层的上表面来完成。
[0010]等离子体处理第一无机层可通过根据在第一无机层中的位置改变第一无机层中每单位体积的氧含量来完成。
[0011]等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层中每单位体积的氧含量在从第一无机层的面向载体基板的底表面至第一无机层的上表面的方向上增加来完成。
[0012]等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层的背向载体基板的第一部分中每单位体积的氧含量比第一无机层的第二部分中每单位体积的氧含量高来完成，第二部分比第一部分靠近载体基板。
[0013]等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层的第三部分中每单位体积的氧含量在从第三部分的面向载体基板的底表面至第三部分的上表面的方向上增加来完成，第三部分位于第一部分和第二部分之间。
[0014]等离子体处理第一无机层可通过根据在第一无机层中的位置改变第一无机层中
每单位体积的氢含量来完成。
[0015]等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层中每单位体积的氢含量在从第一无机层的面向载体基板的底表面至第一无机层的上表面的方向上减少来完成。
[0016]等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层的背向载体基板的第一部分中每单位体积的氢含量比第一无机层的第二部分中每单位体积的氢含量低来完成，第二部分比第一部分靠近载体基板。
[0017]等离子体处理第一无机层可通过使第一无机层的第三部分中每单位体积的氢含量在从第三部分的面向载体基板的底表面至第三部分的上表面方向上减少来完成，第三部分位于第一部分和第二部分之间。
[0018]方法可在形成显示基板和形成显示元件层之间进一步包括在显示基板上形成包括硅氧化物的第一隔离层。
[0019]方法可在形成第一隔离层和形成显示元件层之间进一步包括在显示基板上形成包括硅氧化物的第二隔离层。
[0020]形成第二隔离层可通过形成第二隔离层，使得第二隔离层中每单位体积的氧含量比第一隔离层中每单位体积的氧含量低来完成。
[0021]形成第二隔离层可通过形成第二隔离层，使得第二隔离层中每单位体积的氢含量比第一隔离层中每单位体积的氢含量高来完成。
[0022]将显示基板与载体基板分开可通过将显示基板与第一无机层分开来完成。
[0023]根据一个或多个实施方式，显示设备包括：显示基板；设置在显示基板的一个表面上显示元件层；和设置在显示基板的另一个表面上并且包括硅氧化物的第二无机层，其中第二无机层中每单位体积的氧含量在从第二无机层的底表面至第二无机层的面向显示基板的上表面的方向上增加。
[0024]第二无机层中每单位体积的氢含量可在从第二无机层的底表面至第二无机层的面向显示基板的上表面的方向上减少。
[0025]显示设备可进一步包括：布置在显示基板和显示元件层之间的第一隔离层；和布置在第一隔离层和显示元件层之间的第二隔离层。
[0026]第二隔离层中每单位体积的氧含量可比第一隔离层中每单位体积的氧含量低。
[0027]第二隔离层中每单位体积的氢含量可比第一隔离层中每单位体积的氢含量高。
[0028]除了上述的方面、特征和优势之外，其他方面、特征和优势将从所附附图、所附的权利要求和本公开的详细描述中变得显而易见。
附图说明
[0029]公开的某些实施方式的上面的以及其他的方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，其中：
[0030]图1为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成第一无机层的操作的示意性横截面图；
[0031]图2为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中进行等离子体处理的操作的示意性横截面图；
[0032]图3为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成显
示基板的操作的示意性横截面图；
[0033]图4为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成第一隔离层的操作的示意性横截面图；
[0034]图5为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成第二隔离层的操作的示意性横截面图；
[0035]图6为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中形成显示元件层的操作的示意性横截面图；
[0036]图7为用于描述在根据实施方式的制造显示设备的方法中包括的操作当中将显示基板与载体基板分开的操作的示意性横截面图；
[0037]图8示出了测量根据实施方式的制造显示设备的方法的制造工艺中的显示设备的粘合力，以及根据比较例的制造显示设备的方法的制造工艺中的显示设备的粘合力的结果；并且
[0038]图9为根据实施方式的显示设备的示意性横截面图。
具体实施方式
[0039]现将详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考图来描述实施方式，以解释本描述的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者，a和c二者，b和c二者，所有的a、b和c，或其变型。
[0040]因为本公开允许各种改变和许多实施方式，所以将在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造显示设备的方法，所述方法包括下述步骤：在载体基板上形成包括硅氧化物的第一无机层；通过使用一氧化二氮(N2O)气体等离子体处理所述第一无机层；在所述等离子体处理之后，在所述第一无机层上形成显示基板；形成设置在所述显示基板上的显示元件层；和将所述显示基板与所述载体基板分开。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过等离子体处理所述第一无机层的上表面来完成。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过根据在所述第一无机层中的位置改变所述第一无机层中每单位体积的氧含量来完成。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层中每单位体积的氧含量在从所述第一无机层的面向所述载体基板的底表面至所述第一无机层的上表面的方向上增加来完成。5.根据权利要求3所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层的背向所述载体基板的第一部分中每单位体积的氧含量比所述第一无机层的第二部分中每单位体积的氧含量高来完成，所述第二部分比所述第一部分靠近所述载体基板。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层的第三部分中每单位体积的氧含量在从所述第三部分的面向所述载体基板的底表面至所述第三部分的上表面的方向上增加来完成，所述第三部分位于所述第一部分和所述第二部分之间。7.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过根据在所述第一无机层中的位置改变所述第一无机层中每单位体积的氢含量来完成。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层中每单位体积的氢含量从所述第一无机层的面向所述载体基板的底表面至所述第一无机层的所述上表面减少来完成。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述等离子体处理所述第一无机层通过使所述第一无机层的背向所述载体基板的第一部分中每单位体积的氢含量比所述第一无机层的第二部分中每单位体积的氢含量低来完成，所述第二部分比所述第一部分靠近所述载体基板。10.根据权利要求9所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑镕彬，郭银珍，韩智慧，裵哲敏，李相旭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：