半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：存储器单元区域，包括设置在第一半导体基底上的多个存储器单元，并且包括在第一半导体基底上彼此间隔开地堆叠的栅电极和穿过栅电极且连接到第一半导体基底的沟道结构；外围电路区域，包括具有第一导电类型杂质的第二半导体基底，并且包括控制多个存储器单元的外围电路，第二半导体基底具有在与第一半导体基底的上表面垂直的第一方向上面对第一半导体基底的上表面，其中，外围电路包括形成在第二半导体基底中的多个阱区域、设置在多个阱区域之间并且包括第一导电类型杂质的离子注入区域和多个天线二极管，多个天线二极管中的至少一个在第一方向上与离子注入区域叠置。在第一方向上与离子注入区域叠置。在第一方向上与离子注入区域叠置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请要求于2021年11月26日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0165699号韩国专利申请和于2021年12月30日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0192680号韩国专利申请的权益和优先权，这个两个韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0003]半导体装置制造工艺包括多个单元工艺，并且已经提出了各种方法来在进行多个单元工艺的同时保护已经形成的半导体装置。为了在单元工艺中使对已经形成的半导体装置的损坏最小化，可以在半导体基底上另外地形成各种保护元件。例如，半导体装置被制造为在半导体基底的预定区域中包括晶体管和天线二极管。天线二极管在半导体装置的制造工艺期间通过自然地向半导体基底发射等离子体离子来保护晶体管免受等离子体损坏。然而，考虑到应在有限的区域中布置尽可能多的半导体元件，半导体装置的集成度可能由于保护元件的布置而降低，或者设计的自由度可能由于金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：存储器单元区域，包括设置在第一半导体基底上的多个存储器单元，并且包括在第一半导体基底上彼此间隔开地堆叠的栅电极和穿过栅电极并且连接到第一半导体基底的沟道结构；外围电路区域，包括具有第一导电类型杂质的第二半导体基底，并且包括控制所述多个存储器单元的外围电路，第二半导体基底具有在与第一半导体基底的上表面垂直的第一方向上与第一半导体基底的上表面面对的上表面，其中，外围电路包括多个阱区域、离子注入区域和多个天线二极管，所述多个阱区域形成在第二半导体基底中，离子注入区域设置在所述多个阱区域之间并且包括第一导电类型杂质，并且所述多个天线二极管中的至少一个在第一方向上与离子注入区域叠置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个阱区域包括第一阱区域和第二阱区域，第一阱区域包括第一导电类型杂质，第二阱区域包括与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个天线二极管包括形成在第一阱区域中的第一天线二极管和设置在所述多个阱区域之间的第二天线二极管。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个天线二极管包括与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，离子注入区域的掺杂浓度高于所述多个阱区域的掺杂浓度。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包括在离子注入区域中的第一导电类型杂质的浓度根据位置而不同。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，离子注入区域在与第一方向垂直的第二方向上连续地设置在所述多个阱区域之间。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极氧化物层设置在第二半导体基底上，并且设置在所述多个天线二极管中的任意一个天线二极管上的栅极氧化物层的厚度不同于设置在所述多个天线二极管中的另一个天线二极管上的栅极氧化物层的厚度。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个天线二极管连接到穿过栅极氧化物层的接触件，并且接触件通过金属布线电连接到与接触件相邻的晶体管的栅极结构。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个天线二极管使在通过金属布线连接到对应的天线二极管的晶体管附近累积的等离子体离...

【专利技术属性】
技术研发人员：李先健，金仁模，金秀贞，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：