一种抛光垫压缩比测量装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及抛光垫测量技术领域，具体涉及一种抛光垫压缩比测量装置，包括测量平台、调节组件和测量表组件，测量平台上设有立柱，调节组件包括套设在立柱上的移动环，移动环上转动连接有支架，测量表组件包括测量表和探针，测量表的外部套设有安装环，测量表通过安装环安装在支架上，探针设置在测量表的底部，探针的底端设有砝码连接块。本实用新型专利技术的结构简单，操作方便，且便于调节测量组件的高度和角度，便于多次测量；通过设置第一卡槽和第二卡槽，使得安装环在支架上、砝码在砝码连接块上可以快速地拆装；移动环通过螺栓与立柱连接固定，可便捷地调节高度；支架套设在移动环上，可便捷地调节角度。可便捷地调节角度。可便捷地调节角度。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光垫压缩比测量装置


[0001]本技术涉及抛光垫测量
，具体涉及一种抛光垫压缩比测量装置。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是高密度集成电路制造工艺中的一种，用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。CMP工艺过程主要有抛光、后清洗和计量测量等部分组成，抛光垫是CMP工艺的关键要素之一，其性能决定CMP能达到的表面平整水平。而抛光垫的性能是决定缺陷尺寸、数量的决定性因素。因此，有必要对抛光垫的各项性能进行综合测量，以保证抛光垫生产过程中的稳定性，其中压缩比对抛光垫的稳定性影响尤为显著。而当前抛光垫压缩比的测量装置结构较为复杂，且高度和角度调节操作繁琐，导致操作耗时较长、测量效率低。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的技术问题，本技术的目的是：提供了一种抛光垫压缩比测量装置，该测量装置结构简单、操作简便，高度和角度调节容易，可以提高抛光垫压缩性能的测量效率。
[0004]为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫压缩比测量装置，其特征在于：包括测量平台、调节组件和测量表组件，测量平台上设有立柱，调节组件包括套设在立柱上的移动环，移动环上转动连接有支架，测量表组件包括测量表和探针，测量表的外部套设有安装环，测量表通过安装环安装在支架上，探针设置在测量表的底部，探针的底端设有砝码连接块。2.根据权利要求1所述的一种抛光垫压缩比测量装置，其特征在于：安装环包括左卡环和右卡环，左卡环和右卡环上均设有半圆槽，左卡环和右卡环的半圆槽配合形成圆形槽，测量表安装在圆形槽中。3.根据权利要求2所述的一种抛光垫压缩比测量装置，其特征在于：左卡环和右卡环上均设有卡块，支架上开设有第一卡槽，卡块卡在第一卡槽内。4.根据权利要求2所述的一种抛光垫压缩比测量装置，其特征在于：左卡环和右卡环上均开设有第一螺纹通孔，左卡环与右卡环通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，肖亮锋，袁黎光，吴泽佳，石鑫，
申请(专利权)人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院，
类型：新型
国别省市：