本实用公开了种氮化镓晶体的抛光装置，包括：支撑台以及设置在支撑台表面的调整单元和升降单元，所述升降单元上端固定有支撑板；所述调整单元，包括设置在所述支撑台表面的放置台、放置板以及开设在放置台内部的活动腔，所述活动腔内部还设置有驱动设备、转动轴、移动块和连接杆，所述放置板通过销轴活动连接在所述放置台表面。其有益效果是，该氮化镓晶体的抛光装置，通过放置槽和放置槽内部的加热单元，能使用熔化蜡对氮化镓晶体进行固定，不仅方便工作人员对氮化镓晶体进行固定，还能够避免对氮化镓晶体造成损伤，同时配合调整单元，能够方便对氮化镓晶体的角度和位置进行调整，方便工作人员对氮化镓晶体进行固定。方便工作人员对氮化镓晶体进行固定。方便工作人员对氮化镓晶体进行固定。
【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓晶体的抛光装置
[0001]本技术属于晶体加工
，具体涉及一种氮化镓晶体的抛光装置。
技术介绍
[0002]二十世纪的晶体管的专利技术，促使人们越发关注半导体材料的研究。集成电路的发展应用促进了硅、锗等第一代元素半导体的研究。进而发展为从材料研究到器件制备的完整工艺产业链。而第二代化合物半导体材料的研究则促进了微波及光电子器件的应用。氮化镓为典型的第三代半导体材料，其在光学与电子学领域有重要的应用，特别是在高亮度蓝光LED上的突出表现使得氮化镓材料的研究与应用成为热。
[0003]最初，因为缺乏同质衬底，没有人采用气相外延的方法来生长氮化镓材料。直到1968年，Maruska和Tietjen首次尝试采用氢化物气相外延方法在蓝宝石衬底上生长厘米尺度的氮化镓外延层。传统的HVPE反应是由III族元素的氯化物与V族元素的氢化物在衬底上完成。其中氯化物是由氯化氢气体流过液态III族元素而反应合成。选择蓝宝石作为衬底材料则是因为蓝宝石衬底不会与氨气发生反应。随后，碳化硅、硅、砷化镓、镓酸锂、氮化铝等材料都被尝试用来作为衬底材料制备氮化镓晶体。但是由于氮化镓和异质衬底的热膨胀系数失配，导致生长的氮化镓外延晶体厚度越大弯曲度越大，甚至可能从异质衬底上自己脱落下来，这对于其后期作为新的衬底来同质外延制备器件是很不利的。而且要作为衬底材料，需要对其表面做精密加工到原子级别，弯曲度较大的晶片是很难加工到所需精度的。而且氮化镓材料的硬度大脆性大，加工过程中很容易碎片。
技术实现思路
[0004]为解决上述
技术介绍
中提出的问题。本技术提供了一种氮化镓晶体的抛光装置。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种氮化镓晶体的抛光装置，包括：支撑台以及设置在支撑台表面的调整单元和升降单元，所述升降单元上端固定有支撑板；
[0006]所述调整单元，包括设置在所述支撑台表面的放置台、放置板以及开设在放置台内部的活动腔，所述活动腔内部还设置有驱动设备、转动轴、移动块和连接杆，所述放置板通过销轴活动连接在所述放置台表面；
[0007]所述支撑板下表面还固定有抛光单元，所述抛光单元的位置与所述放置板的位置相固定。
[0008]本技术一个较佳实施例中，所述放置台下表面还固定有滑块，所述支撑台表面开设有滑槽，所述放置台能够通过所述滑块和所述滑槽活动连接在所述支撑台表面。
[0009]本技术一个较佳实施例中，所述滑块和所述滑槽均有若干个，且若干个所述滑块和所述滑槽均能够对称排布在所述放置台下表面。
[0010]本技术一个较佳实施例中，所述驱动设备固定在所述活动腔内壁，所述转动
轴固定在所述驱动设备的输出端，所述转动轴表面还开设有螺纹，所述转动轴与所述移动块通过螺纹活动连接。
[0011]本技术一个较佳实施例中，所述移动块表面还固定有连接块，所述连接杆通过销轴活动连接在所述连接块表面，所述连接块有两个，另一个所述连接块固定在所述放置台下表面，且两个所述连接块通过所述连接杆相连接。
[0012]本技术一个较佳实施例中，所述升降单元有若干个，且若干个升降单元能够对称排布在所述支撑台表面。
[0013]本技术一个较佳实施例中，所述放置板表面开设有放置槽，所述放置槽内部能够设置有加热单元。
[0014]本技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷，本技术具备以下有益效果：
[0015]1、该氮化镓晶体的抛光装置，通过放置槽和放置槽内部的加热单元，能使用熔化蜡对氮化镓晶体进行固定，不仅方便工作人员对氮化镓晶体进行固定，还能够避免对氮化镓晶体造成损伤，同时配合调整单元，能够方便对氮化镓晶体的角度和位置进行调整，方便工作人员对氮化镓晶体进行固定。
[0016]2、该氮化镓晶体的抛光装置，通过驱动设备、转动轴、移动块和连接杆，驱动设备带动转动轴转动，从而带动移动块和连接杆相对应移动，进而带动放置板出现偏转，调整放置槽中氮化镓晶体的角度，方便抛光单元对氮化镓晶体的不同面进行机械抛光，提高了装置的实用性。
[0017]3、该氮化镓晶体的抛光装置，通过滑块和滑槽，不仅能够为放置台提供一定的支撑，还能够在放置台移动过程中起到导向作用，同时配合升降单元，能够方便工作人员调整氮化镓晶体的位置，从而更好的对氮化镓晶体进行抛光，进一步提高了装置的实用性。
附图说明
[0018]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0019]图1为本技术的立体结构示意图；
[0020]图2为本技术的剖视结构示意图；
[0021]图中：1、支撑台；110、滑槽；2、调整单元；210、放置台；211、活动腔；212、滑块；220、驱动设备；230、转动轴；240、移动块；250、连接杆；260、放置板；261、放置槽；270、连接块；3、升降单元；4、支撑板；5、抛光单元。
具体实施方式
[0022]现在结合附图和实施例对本技术作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。
[0023]一种氮化镓晶体的抛光装置，包括：支撑台1以及设置在支撑台1表面的调整单元2和升降单元3，升降单元3上端固定有支撑板4；该氮化镓晶体的抛光装置，通过放置槽261和放置槽261内部的加热单元，能使用熔化蜡对氮化镓晶体进行固定，不仅方便工作人员对氮化镓晶体进行固定，还能够避免对氮化镓晶体造成损伤，同时配合调整单元2，能够方便对
氮化镓晶体的角度和位置进行调整，方便工作人员对氮化镓晶体进行固定。
[0024]调整单元2，包括设置在支撑台1表面的放置台210、放置板260以及开设在放置台210内部的活动腔211，活动腔211内部还设置有驱动设备220、转动轴230、移动块240和连接杆250，放置板260通过销轴活动连接在放置台210表面；该氮化镓晶体的抛光装置，通过驱动设备220、转动轴230、移动块240和连接杆250，驱动设备220带动转动轴230转动，从而带动移动块240和连接杆250相对应移动，进而带动放置板260出现偏转，调整放置槽261中氮化镓晶体的角度，方便抛光单元5对氮化镓晶体的不同面进行机械抛光，提高了装置的实用性。
[0025]支撑板4下表面还固定有抛光单元5，抛光单元5的位置与放置板260的位置相固定。
[0026]放置台210下表面还固定有滑块212，支撑台1表面开设有滑槽110，放置台210能够通过滑块212和滑槽110活动连接在支撑台1表面；滑块212和滑槽110均有若干个，且若干个滑块212和滑槽110均能够对称排布在放置台210下表面；该氮化镓晶体的抛光装置，通过滑块212和滑槽110，不仅能够为放置台210提供一定的支撑，还能够在放置台210移动过程中起到导向本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓晶体的抛光装置，包括：支撑台以及设置在支撑台表面的调整单元和升降单元，其特征在于，所述升降单元上端固定有支撑板；所述调整单元，包括设置在所述支撑台表面的放置台、放置板以及开设在放置台内部的活动腔，所述活动腔内部还设置有驱动设备、转动轴、移动块和连接杆，所述放置板通过销轴活动连接在所述放置台表面；所述支撑板下表面还固定有抛光单元，所述抛光单元的位置与所述放置板的位置相固定。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓晶体的抛光装置，其特征在于：所述放置台下表面还固定有滑块，所述支撑台表面开设有滑槽，所述放置台能够通过所述滑块和所述滑槽活动连接在所述支撑台表面。3.根据权利要求2所述的一种氮化镓晶体的抛光装置，其特征在于：所述滑块和所述滑槽均有若干个，且若干个所述滑块和所述滑槽均能够对称排布在所述放置...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，王国栋，
申请(专利权)人：中芯研江苏半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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