低噪声放大电路和射频前端模组制造技术

本申请提供的一种低噪声放大电路和射频前端模组，包括体接触型场效应晶体管、浮体型场效应晶体管和偏置电路，其中，所述偏置电路，包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端输出的信号为第一偏置电压，所述第二输出端输出的信号为第二偏置电压，其中，所述第一偏置电压大于第二偏置电压。本申请通过控制提供给体接触型场效应晶体管和浮体型场效应晶体管的偏置信号的大小，以使得浮体型场效应晶体管避开其产生翘曲效应的区间，从而使得浮体型场效应管晶体管能够一直处于高效的工作区间，进而提高低噪声放大电路的增益。而提高低噪声放大电路的增益。而提高低噪声放大电路的增益。

【技术实现步骤摘要】
低噪声放大电路和射频前端模组


[0001]本申请涉及射频前端
，特别是涉及一种低噪声放大电路和射频前端模组。

技术介绍

[0002]低噪声放大电路广泛用于射频电路，例如射频前端电路。
[0003]目前，在射频前端
，一般采用绝缘体上硅(SOI)工艺的场效应管来设计低噪声放大电路，对于SOI工艺的场效应管来说，一般分为两种类型，一种是体接触型场效应管，一种都是浮体型场效应管，上述两种场效应管都存在相应的优缺点，因此，如何根据体接触型场效应晶体管和浮体型场效应管设计一种高增益的低噪声放大电路，是一个急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是：提供一种低噪声放大电路和射频前端模组，来改善相关技术中的低噪声放大电路的增益较低的问题。
[0005]为了实现上述目的，本申请提供了一种低噪声放大电路，其，包括体接触型场效应晶体管、浮体型场效应晶体管和偏置电路，其中，
[0006]所述体接触型场效应晶体管的第一端耦合至所述偏置电路的第一输出端，所述体接触型场效应晶体管的第二端耦合至供电电源端，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括体接触型场效应晶体管、浮体型场效应晶体管和偏置电路，其中，所述体接触型场效应晶体管的第一端耦合至所述偏置电路的第一输出端，所述体接触型场效应晶体管的第二端耦合至供电电源端，所述体接触型场效应晶体管的第三端耦合至所述浮体型场效应晶体管的第二端；所述浮体型场效应晶体管的第一端耦合至所述偏置电路的第二输出端，所述浮体型场效应晶体管的第二端耦合至所述体接触型场效应晶体管的第三端，所述浮体型场效应晶体管的第三端耦合至接地端；所述偏置电路，包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端输出的信号为第一偏置电压，所述第二输出端输出的信号为第二偏置电压，其中，所述第一偏置电压大于第二偏置电压。2.根据权利要求1所述低噪声放大电路，其特征在于，所述第一偏置电压与第二偏置电压的差值范围在[0.4V,0.6V]之间。3.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述浮体型场效应晶体管在导通状态下的第二端和第三端之间的电压小于或等于0.4V。4.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述供电电源端产生的电压范围在[1.2V,3.2V]之间。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述体接触型场效应晶体管的第一端为栅极，所述体接触型场效因晶体管的第二端为漏极，所述体接触型场效应晶体管的第三端为源极；所述浮体型场效应晶体管的第一端为栅极，所述浮体型场效应晶体管的第二端为漏极，所述浮体型场效应晶体管的第三端为源极。6.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述体接触型场效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镁钰，田昱，奉靖皓，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：