用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术提供一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构及其封装方法，包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板中央设置有探测器芯片，沿所述陶瓷基板外周位置设有多个筒形引线电极，每一个所述筒形引线电极为中空圆筒形，每一个所述筒形引线电极的内部设有引线柱孔位；以及杜瓦冷头，沿所述杜瓦冷头外周位置设有多个引线柱；其中，所述多个引线柱插入所述多个筒形引线电极，并在所述多个引线柱与所述多个筒形引线电极的连接处使用焊锡加固。通过将杜瓦冷头的引线柱插入陶瓷基板上的引线柱孔位实现电连接，可以实现快速、准确、牢固的封装，且封装结构的电连接不会受到外部晃动的影响。电连接不会受到外部晃动的影响。电连接不会受到外部晃动的影响。

【技术实现步骤摘要】
用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及红外探测器
，尤其涉及一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构及其封装方法。

技术介绍

[0002]红外探测器技术具有被动探测、探测精度高、环境适应性强的特点，广泛应用于预警探测、情报侦察、精确打击、夜视、天文观测等领域。为了满足大视场、高空间分辨率及小型化红外成像系统的应用需求，大面阵、小型化、高可靠性探测器组件成为近年来研究的重点。陶瓷基板是红外探测器杜瓦组件内一个重要的连接部件，通常作为芯片和杜瓦的连接中介。
[0003]在探测器组件的应用环境中，通常要求机械应力强、形状稳定、强度高、结合力强。另外随着探测器探测的波段越来越大，对封装中电阻、热耗和噪声的要求越来越高，这就对陶瓷基板与杜瓦的连接提出了极高的挑战。
[0004]图1所示为现有技术的用于红外探测器的杜瓦冷头。图2所示为现有技术的用于红外探测器的陶瓷基板。图3所示为现有技术的用于红外探测器的陶瓷基板与杜瓦冷头的封装。在现有技术中，杜瓦冷头101的引线柱102与陶瓷基板的引线电极201通过漆包线302连接，并在连接处使用焊锡301加固。陶瓷基板与杜瓦通过漆包线加焊锡进行连接。但是在高强度振动的条件下，漆包线很容易发生有时甚至很剧烈的晃动。在漆包线不断晃动之下，漆包线与引线电极的连接容易脱落，从而出现故障。
[0005]在实际应用过程中，存在探测器组件经过严酷的外力影响后，陶瓷基板与杜瓦的连接会出现脱落的现象，需要一种陶瓷基板与杜瓦连接的加固方法，即不会大幅增加探测器组件重量与热耗，又可以加强探测器耐振动、冲击载荷的能力，保证其工作的可靠性。
[0006]本专利技术试图解决以上问题。

技术实现思路

[0007]本专利技术试图解决现有技术中杜瓦冷头与陶瓷基板容易因为频繁晃动而出现断开连接情况的问题，试图提供一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构及其封装方法。
[0008]本专利技术第一方面实施例提供一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构，包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板中央设置有探测器芯片，沿所述陶瓷基板外周位置设有多个筒形引线电极，每一个所述筒形引线电极为中空圆筒形，每一个所述筒形引线电极的内部设有引线柱孔位；以及杜瓦冷头，沿所述杜瓦冷头外周位置设有多个引线柱，在所述杜瓦冷头与所述陶瓷基板对接时所述多个引线柱的位置与所述多个筒形引线电极的位置相对应；其中，所述多个引线柱插入所述多个筒形引线电极，并在所述多个引线柱与所述多个筒形引线电极的连接处使用焊锡加固。
[0009]进一步的，在所述陶瓷基板的探测器芯片和筒形引线电极的表面进行沉金工艺。
[0010]进一步的，沉金厚度为0.6mm。
[0011]进一步的，引线柱孔位通过激光切割打孔完成。
[0012]进一步的，激光切割打孔直径为1.3mm。
[0013]本专利技术第二方面实施例提供一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构的封装方法，包括：提供陶瓷基板，所述陶瓷基板中央设置有探测器芯片，沿所述陶瓷基板外周位置设有多个筒形引线电极，每一个所述筒形引线电极为中空圆筒形，每一个所述筒形引线电极的内部设有引线柱孔位；提供杜瓦冷头，沿所述杜瓦冷头外周位置设有多个引线柱，在所述杜瓦冷头与所述陶瓷基板对接时所述多个引线柱的位置与所述多个筒形引线电极的位置相对应；以及将所述多个引线柱插入所述多个筒形引线电极，并在所述多个引线柱与所述多个筒形引线电极的连接处使用焊锡加固，形成所述用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构。
[0014]进一步的，在所述陶瓷基板的探测器芯片和筒形引线电极的表面进行沉金工艺。
[0015]进一步的，沉金厚度为0.6mm。
[0016]进一步的，引线柱孔位通过激光切割打孔完成。
[0017]进一步的，激光切割打孔直径为1.3mm。
[0018]根据本专利技术实施例的用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构及其封装方法，通过将杜瓦冷头的引线柱插入陶瓷基板上的引线柱孔位实现电连接，可以实现快速、准确、牢固的封装，且封装结构的电连接不会受到外部晃动的影响，解决了漆包线脱落的问题，增强了红外探测器的可靠性，大大延长了红外探测器的使用寿命。
附图说明
[0019]图1所示为现有技术的用于红外探测器的杜瓦冷头的示意图。
[0020]图2所示为现有技术的用于红外探测器的陶瓷基板的示意图。
[0021]图3所示为现有技术的用于红外探测器的陶瓷基板与杜瓦冷头的封装的示意图。
[0022]图4所示为根据本专利技术实施例的用于红外探测器的陶瓷基板的示意图。
[0023]图5所示为根据本专利技术实施例的用于红外探测器的陶瓷基板与杜瓦冷头的封装的示意图。
[0024]附图标记：101：杜瓦冷头；102：引线柱；103：固定孔位；201：引线电极；202：芯片；301：焊锡；302：漆包线；401：筒形引线电极；402：引线柱孔位；403：探测器芯片；501：引线柱。
实施方式
[0025]为使对本专利技术的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。
[0026]如图4和图5所示，本专利技术第一方面实施例提供一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构，包括：陶瓷基板，陶瓷基板中央设置有探测器芯片403，沿陶瓷基板外周位置设有多个筒形引线电极401，每一个所述筒形引线电极401为中空圆筒形，每一个所述筒形引线电
极401的内部设有引线柱孔位402；以及杜瓦冷头，沿杜瓦冷头外周位置设有多个引线柱501，在杜瓦冷头与陶瓷基板对接时所述多个引线柱501的位置与所述多个筒形引线电极401的位置相对应；其中，所述多个引线柱501插入所述多个筒形引线电极401，并在所述多个引线柱501与所述多个筒形引线电极401的连接处使用焊锡301加固。通过将杜瓦冷头的引线柱插入陶瓷基板上的引线柱孔位实现电连接，可以实现快速、准确、牢固的封装，且封装结构的电连接不会受到外部晃动的影响，解决了漆包线脱落的问题。
[0027]进一步的，在所述陶瓷基板的探测器芯片和筒形引线电极的表面进行沉金工艺，沉金厚度为0.6mm，以增强导电性并提供保护。
[0028]进一步的，引线柱孔位通过激光切割打孔完成，激光切割打孔直径为1.3mm。
[0029]本专利技术第二方面实施例提供一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构的封装方法，包括：提供陶瓷基板，所述陶瓷基板中央设置有探测器芯片403，沿所述陶瓷基板外周位置设有多个筒形引线电极401，每一个所述筒形引线电极401为中空圆筒形，每一个所述筒形引线电极401的内部设有引线柱孔位402；提供杜瓦冷头，沿所述杜瓦冷头外周位置设有多个引线柱501，在所述杜瓦冷头与所述陶瓷基板对接时所述多个引线柱501的位置与所述多个筒形引线电极401的位置相对应；以及将所述多个引线柱501插入所述多个筒形引线电极401，并在所述多个引线柱501与所述多个筒形引线电极401的连接处使用焊锡301加固，形成所述用于红外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构，包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板中央设置有探测器芯片，沿所述陶瓷基板外周位置设有多个筒形引线电极，每一个所述筒形引线电极为中空圆筒形，每一个所述筒形引线电极的内部设有引线柱孔位；以及杜瓦冷头，沿所述杜瓦冷头外周位置设有多个引线柱，在所述杜瓦冷头与所述陶瓷基板对接时所述多个引线柱的位置与所述多个筒形引线电极的位置相对应；其中，所述多个引线柱插入所述多个筒形引线电极，并在所述多个引线柱与所述多个筒形引线电极的连接处使用焊锡加固。2.根据权利要求1所述的用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构，其特征在于，在所述陶瓷基板的探测器芯片和筒形引线电极的表面进行沉金工艺。3.根据权利要求2所述的用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构，其特征在于，沉金厚度为0.6mm。4.根据权利要求1所述的用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构，其特征在于，引线柱孔位通过激光切割打孔完成。5.根据权利要求1所述的用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构，其特征在于，激光切割打孔直径为1.3mm。6.一种用于红外探测器杜瓦冷头的封装结构的封装方法，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵毅，薛建凯，李斌，朱坤，冯伟，苏莹，宫联国，张晋彪，
申请(专利权)人：山西创芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：