一种抑制负电容鳍式晶体管输出电流损耗的方法技术

本发明专利技术公开了一种抑制负电容鳍式晶体管输出电流损耗的方法。本发明专利技术通过改变NC

【技术实现步骤摘要】
一种抑制负电容鳍式晶体管输出电流损耗的方法


[0001]本专利技术属于新型半导体信息器件中鳍式场效应晶体管(FinFET)领域，具体涉及一种利用延伸区高斯轻掺杂技术来抑制负电容FinFET(NC
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FinFET)中由于负电容效应引起器件的阈值电压升高导致的器件输出电流损耗的方法。

技术介绍

[0002]随着移动互联网、云计算、人工智能等技术的广泛应用，对于更高性能、更低功耗的CMOS技术需求不断增加。然而，传统的金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)面临着热效应、隧穿效应急剧增加等问题，其速度和功耗的性能已经接近物理极限。近年来，随着纳米材料和二维材料的发展，科学家们发现了具有负电容效应的铁电材料。当这些铁电材料被堆叠到传统MOSFET的栅极，即可得到一种新型的晶体管，即负电容场效应晶体管(NCFET)。
[0003]研究表明，由于负电容效应，NCFET可以有效地提高晶体管的开关速度和电流增益，同时还能降低器件功耗。目前，先进工艺的FinFET通过三栅的立体结构提高器件的开关性能并降低泄漏功耗。将NCFET结构与Fin本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑制负电容鳍式晶体管输出电流损耗的方法，其特征在于：改变NC
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FinFET源/漏延伸区的掺杂工艺，使用高斯轻掺杂工艺技术替代常规的均匀掺杂工艺技术，用于降低栅
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漏耦合电容，提高漏极区域内部电势。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的源/漏延伸区进行全局高斯轻掺杂，让整个NC<...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢自强，吕伟锋，郭梦雪，赵孟杰，林弥，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：