基于六方氮化硼大尺寸单晶的深紫外光电探测器及其制备方法技术

一种基于六方氮化硼大尺寸单晶的深紫外光电探测器及其制备方法，包括：衬底；粘合剂，旋涂于衬底上表面；六方氮化硼大尺寸单晶，覆盖于旋涂有粘合剂的衬底表面；一对电极，部分覆盖于六方氮化硼大尺寸单晶上表面。本发明专利技术通过大面积、高质量、厚度适中的六方氮化硼大尺寸单晶，制备出在深紫外区拥有高响应速度，高开关比，高光谱选择性的深紫外光电探测器。该探测器在空间光通讯，军事预警探测，臭氧层空洞监测，以及航空航天领域拥有重大应用前景。以及航空航天领域拥有重大应用前景。以及航空航天领域拥有重大应用前景。

【技术实现步骤摘要】
基于六方氮化硼大尺寸单晶的深紫外光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体光电探测
，涉及一种基于六方氮化硼大尺寸单晶的深紫外光电探测器及制备方法。

技术介绍

[0002]光电探测器是一种可以将入射光子的能量转化为电信号的装置，这类器件在我们的日常生活中非常重要并且拥有非常广泛的应用。而可以对紫外波段的光进行探测的紫外光电探测器则已经在化学勘探、空间光通信、燃烧探测、军事攻击预警和臭氧空洞监测等领域广泛应用。由于大气对在紫外波段中波长小于280nm的深紫外光有着非常强的吸收作用，所以在大气中基本不存在深紫外光。基于这一特性，其应用于光通信领域将拥有可全天候工作，高保密性等优势。深紫外光电探测器也因此在国家安全领域拥有重要的发展意义和应用前景。
[0003]半导体光电探测器的探测范围主要是由半导体材料自身的带隙决定的，六方氮化硼作为一种拥有超宽禁带(6.4eV)的二维层状材料，是制备深紫外光电探测器的优选材料。目前应用六方氮化硼制备深紫外光电探测器面临着以下问题，采用化学气相沉积法(CVD)制备的六方氮化硼薄膜虽然结晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于六方氮化硼大尺寸单晶的深紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述六方氮化硼大尺寸单晶是光电敏感材料，为厚度5～50μm的六方氮化硼大尺寸单晶；整体晶面为(002)，侧边为[1
‑
100]和[11
‑
20]方向，单晶性优异；结晶度高，XRD的(002)峰半峰宽小于0.03
°
，Raman光谱E
2g
振动峰的半峰宽小于10cm
‑1；电绝缘性好，表面电阻率为10
15
Ω以上量级；杂质缺陷密度低、透明、光透过性好；可以按照需要裁切成1cm2以上面积大小；所述制备方法，包括以下步骤：步骤一，制备六方氮化硼大尺寸单晶；步骤二，提供衬底；步骤三，利用粘合剂将六方氮化硼大尺寸单晶与衬底相连接；步骤四，制备电极。2.根据权利要求1所述的一种基于六方氮化硼大尺寸单晶的深紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤一制备六方氮化硼大尺寸单晶，为常压金属熔剂法、高温高压法、高压温度梯度法、金属助熔法等单晶生长方法所制备的六方氮化硼大尺寸单晶。3.根据权利要求1所述的一种基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：高伟，邰家劲，殷红，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：