一种硫化镉晶片电学参数调整的退火方法技术

本发明专利技术涉及一种硫化镉晶片电学参数调整的退火方法，属于光电材料技术领域。所述方法将采用PVT法生长的纯净的绝缘体硫化镉晶片置于密闭真空环境下，在过饱和状态的扩散源镉蒸汽内，从室温升温至820～850℃，恒温处理48～72小时，得到电学参数调整后的硫化镉晶片。通过所述方法中真空度、扩散源、处理温度及恒温处理时间的相互配合，协同作用，实现了对绝缘体硫化镉晶片的电学参数的调整，获得了载流子浓度为5

【技术实现步骤摘要】
一种硫化镉晶片电学参数调整的退火方法


[0001]本专利技术涉及一种硫化镉晶片电学参数调整的退火方法，属于光电材料


技术介绍

[0002]现代光电子技术的发展由可见光的两端向外延伸，涉及到红外波段和紫外波段。自上世纪80年代以来，红外技术在军事和民用各方面的研究成绩卓著，各种红外军用装备相继服役并投入战场应用。与此同时，可见光的另一端紫外线也引起人们的注意，早在19世纪就有人开始从事紫外线的研究，但是，由于种种原因早期的研究进展十分缓慢。直到上个世纪80年代，紫外线在国外开始了军用方面的研究并快速发展起来，目前，随着光电对抗技术的不断加强，紫外线的应用越来越受到重视，并开始研究紫外线的装备。与红外技术一样，制约紫外技术发展的也是紫外材料。人们对紫外器件研究最多的是氮化镓(GaN)紫外探测器，它的响应波段为300nm～365nm，。近年来，出现了一种新的材料硫化镉(CdS)，它的响应波段为300nm～500nm，覆盖了近紫外部分和部分可见光，有效的填补GaN器件和可见光器件之间的空白，而且CdS材料是透红外的，利用此特性，可以做成红外<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硫化镉晶片电学参数调整的退火方法，其特征在于：所述方法步骤如下：将纯净的绝缘体硫化镉晶片置于真空度为1
×
10
‑4Pa～4
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10
‑4Pa的密闭真空环境下，采用纯度7N以上的镉作为扩散源，扩散源镉为蒸汽，并充满密闭真空环境处于过饱和状态，从室温升温至820℃～850℃，恒温处理48小时～72小时，退火完成，得到电学参数调整后的硫化镉晶片；所述绝缘体硫化镉晶片为采用物理气相传输方法生长的硫化镉晶片，电阻率为10
11
Ω
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cm～10
12
Ω
·
cm。2.根据权利要求1所述的一种硫化镉晶片电学参数调整的退火方法，其特征在于：从室温升温至820℃～850℃时，升温速率为60℃/h。3.根据权利要求1所述的一种硫化镉晶片电学参数调整的退火方法，其特征在于：纯净的绝缘体硫化镉晶片采用如下方法清洁处理得到：采用UP级纯度的酸对表面附着有氧化物和污渍的绝缘体硫化镉晶片进行腐蚀，然后用大量水冲洗至无异味，再通过真空干燥晶片表面水分或是采用纯度为99.999％以上的氮气吹干晶片表面水分，获得纯净的绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建才，何雯瑾，叶薇，刘世能，杨善亮，何燕，
申请(专利权)人：云南昆物新跃光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：