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本发明涉及一种硫化镉晶片电学参数调整的退火方法，属于光电材料技术领域。所述方法将采用PVT法生长的纯净的绝缘体硫化镉晶片置于密闭真空环境下，在过饱和状态的扩散源镉蒸汽内，从室温升温至820～850℃，恒温处理48～72小时，得到电学参数调整...
该专利属于云南昆物新跃光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南昆物新跃光电科技有限公司授权不得商用。

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