一种InGaAs多线列光敏芯片及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种InGaAs多线列光敏芯片及其应用，属于红外探测器技术领域。所述多线列光敏芯片为不同线列光敏元上沉积有尺寸以及成分不同的带通膜的InGaAs芯片，能够实现同时吸收不同波段光谱，还有利于简化光谱仪的结构，提高仪器的稳定性与长期可靠性，对微型光谱仪的技术发展具有重要意义；基于本发明专利技术所述InGaAs多线列光敏芯片的探测器组件，通过线扫描方式能够同时将不同波段光谱信息采集，大大提高探测器组件的多光谱成像能力和识别效率，而且结构简单，具有良好的稳定性以及较高的可靠性，可广泛应用于目标识别、生物医学、科学研究和卫星遥感方面等。究和卫星遥感方面等。究和卫星遥感方面等。

【技术实现步骤摘要】
一种InGaAs多线列光敏芯片及其应用


[0001]本专利技术涉及一种能够同时吸收不同波段光谱的InGaAs多线列光敏芯片及其在多光谱成像探测器中的应用，属于红外探测器


技术介绍

[0002]微型光谱仪在农业、食品、工业等领域具有广泛的应用需求，是现场品质快检和在线检测的理想仪器，具有快速、高通量、无损、无污染、高精度、低成本和操作方便等优点。InGaAs探测器在0.9μm～1.7μm波段具有非制冷室温工作、探测率高、均匀性好等优点，成为微型近红外光谱仪芯片的理想选择。基于短波红外InGaAs探测器的微型光谱仪，通常采用以下两种技术方案：
[0003](1)采用InGaAs单元探测器，以及扫描步进装置和光栅、反射镜等，实现光谱测量。其优点是成本低，其缺点是仪器内部有运动部件，影响仪器的长期稳定性和可靠性。
[0004](2)采用InGaAs线列焦平面探测器组件和光栅、反射镜等，仪器内部为全固态式分光系统，其稳定性和可靠性大幅提升，但仪器的集成度水平有待进一步提升。
[0005]综上所述，目前InGaAs线列探测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种InGaAs多线列光敏芯片，其特征在于：所述多线列光敏芯片为不同线列光敏元上沉积有尺寸以及成分不同的带通膜的InGaAs芯片；各线列光敏元上镀制的带通膜的厚度为200nm～3000nm，每个通道的光谱带宽为2nm～50nm，中心波长定位精度
±
1nm，透过率≥50％，单个通道内的光谱噪声小于1％，通道间的串音小于10％。2.根据权利要求1所述的一种InGaAs多线列光敏芯片，其特征在于：分光通道以外的区域沉积有短波红外波段透过率小于0.1％的光学薄膜。3.根据权利要求1所述的一种InGaAs多线列光敏芯片，其特征在于：带通膜的成分为氧化硅、五氧化二钛、氟化钇、硫化锌和氮化硅中的至少一种。4.根据权利要求1所述的一种InGaAs多线列光敏芯片，其特征在于：各线列规模为256
×
1、512
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1或1024
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【专利技术属性】
技术研发人员：范明国，朱琴，李志华，齐浩洋，李德香，龚晓霞，袁俊，太云见，黄晖，
申请(专利权)人：云南昆物新跃光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：