发光元件及包括该发光元件的显示装置制造方法及图纸

提供一种发光元件及包括该发光元件的显示装置。发光元件包括：发光元件芯，包括第一区域和包围所述第一区域的第二区域，其中，所述发光元件芯包括：第一半导体层，掺杂有第一导电型掺杂剂；第二半导体层，布置于所述第一半导体层上，掺杂有与所述第一导电型掺杂剂不同的第二导电型掺杂剂；元件活性层，布置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第三半导体层，布置于所述元件活性层与所述第二半导体层之间，并且掺杂有所述第二导电型掺杂剂，所述发光元件芯的所述第二区域位于所述发光元件芯的边缘，并包括所述发光元件芯的侧面，所述第三半导体层的所述第二导电型掺杂剂的掺杂浓度小于所述发光元件芯的所述第二区域的缺陷密度。域的缺陷密度。域的缺陷密度。

【技术实现步骤摘要】
发光元件及包括该发光元件的显示装置


[0001]本专利技术涉及一种发光元件及包括该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0002]对于显示装置而言，随着多媒体的发展其重要性正在增加。为适应于此，正在使用诸如有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display)、液晶显示装置(LCD：Liquid Crystal Display)等多种显示装置。
[0003]作为显示显示装置的图像的装置，包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板之类的显示面板。显示面板可以包括发光元件，发光元件可以是发光二极管(LED：Light Emitting Diode)。发光二极管包括利用有机物作为发光物质的有机发光二极管(OLED)、利用无机物质作为发光物质的无机发光二极管等。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种发光元件，所述发光元件包括布置于掺杂有p型掺杂剂的第一p型半导体层与元件活性层之间，且具有小于发光元件芯的表面损伤区域的缺陷密度(defect density)的p型掺杂剂的掺杂浓度的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：发光元件芯，包括第一区域和包围所述第一区域的第二区域，其中，所述发光元件芯包括：第一半导体层，掺杂有第一导电型掺杂剂；第二半导体层，布置于所述第一半导体层上，掺杂有与所述第一导电型掺杂剂不同的第二导电型掺杂剂；元件活性层，布置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第三半导体层，布置于所述元件活性层与所述第二半导体层之间，并且掺杂有所述第二导电型掺杂剂，所述发光元件芯的所述第二区域位于所述发光元件芯的边缘，并包括所述发光元件芯的侧面，所述第三半导体层的所述第二导电型掺杂剂的掺杂浓度小于所述发光元件芯的所述第二区域的缺陷密度。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第三半导体层的所述第二导电型掺杂剂的掺杂浓度具有10
18
/cm3以下的范围。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一半导体层为n型半导体层，所述第二半导体层及所述第三半导体层分别为p型半导体层，所述发光元件还包括布置于所述元件活性层与所述第三半导体层之间的电子阻挡层。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述电子阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳在雄，张振赫，朴星辉，全翔镐，崔善洪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：