低通滤波电路、芯片及电子设备制造技术

本公开的实施例提供一种低通滤波电路、芯片及电子设备，低通滤波电路包括：RC主电路、第一栅源电压控制电路、第二栅源电压控制电路，其中，RC主电路，被配置为由第一晶体管和第二晶体管并联组成低通滤波电路的电阻结构，由第三晶体管作为低通滤波电路的电容结构；第一栅源电压控制电路，被配置为通过第一恒定电流控制第一晶体管的栅源电压保持恒定；第二栅源电压控制电路，被配置为通过第二恒定电流控制第二晶体管的栅源电压保持恒定。解决了现有的RC低通滤波器存在的滤波器带宽不固定，随输入电压变化而变化的问题。压变化而变化的问题。压变化而变化的问题。

【技术实现步骤摘要】
低通滤波电路、芯片及电子设备


[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及低通滤波电路、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]在一些需要进行低通滤波的应用中，例如滤除噪声、电源波动、其他一些纹波等，常使用RC低通滤波器，这种结构原理简单，滤波效果明显，因此应用广泛。RC低通滤波器截止频率是f＝1/2πRC，为了获得较低的滤波器截止频率，实现较低的带宽，通常会选用较大的R和C，而大电阻和电容在芯片内实现会占用很大的面积，会增大芯片的成本。
[0003]对于上述用大电阻和电容实现较好的低通滤波效果在芯片内实现会占用很大的面积，增大芯片的成本的问题，出现了通过工作在线性区的MOS来替代电阻器件和电容器件实现RC低通滤波器。图1为现有的一种采用MOS管实现RC低通滤波器的示例性电路图，其中采用工作在线性区的PMOS管P0和NMOS管N0并联代替电阻器件，NMOS管NCAP用作电容器件。其中：
[0004]P0的等效阻抗R
P0
＝1/[k
p
*(W
P0r/>/L
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低通滤波电路，其特征在于，包括：RC主电路、第一栅源电压控制电路、第二栅源电压控制电路，其中，所述RC主电路，被配置为由第一晶体管和第二晶体管并联组成所述低通滤波电路的电阻结构，由第三晶体管作为所述低通滤波电路的电容结构；所述第一栅源电压控制电路，被配置为通过第一恒定电流控制所述第一晶体管的栅源电压保持恒定；所述第二栅源电压控制电路，被配置为通过第二恒定电流控制所述第二晶体管的栅源电压保持恒定。2.根据权利要求1所述的低通滤波电路，其特征在于，所述第一栅源电压控制电路包括：第一电流镜电路、第四晶体管，其中，第一电流镜电路，被配置为产生所述第一恒定电流，所述第一电流镜电路的输出端耦接所述第四晶体管的源极；所述第四晶体管的源极还耦接所述第一晶体管的栅极，所述第四晶体管的漏极耦接接地端，所述第四晶体管的栅极耦接所述低通滤波电路的输入电压。3.根据权利要求2所述的低通滤波电路，其特征在于，所述第二栅源电压控制电路包括：第二电流镜电路、第五晶体管，其中，第二电流镜电路，被配置为产生所述第二恒定电流，所述第二电流镜电路的输出端耦接所述第五晶体管的源极；所述第五晶体管的源极还耦接所述第二晶体管的栅极，所述第五晶体管的漏极耦接电源电压或所述第一电流镜电路，所述第五晶体管的栅极耦接所述低通滤波电路的输入电压。4.根据权利要求3所述的低通滤波电路，其特征在于，若所述第五晶体管的漏极耦接电源电压，所述第一电流镜电路包括：第一电流源、第六晶体管、第七晶体管，其中，所述第一电流源的一端耦接接地端，所述第一电流源的另一端分别耦接所述第六晶体管的栅极、所述第六晶体管的漏极、所述第七晶体管的栅极；所述第六晶体管的源极和所述第七晶体管的源极耦接电源电压，所述第七晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚猛，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：