一种发光二极管及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域，该发光二极管，包括层叠设置的空穴传输层和发光层，空穴传输层的材料包括空穴传输材料和导热材料；导热材料为空心纳米材料；其中，空穴传输材料与导热材料形成混合材料体；或者至少部分导热材料在空穴传输层的靠近发光层的一侧形成独立材料体；本申请还提供了该发光二极管的制备方法。本申请提供的发光二极管及其制备方法，在空穴传输层中加入具有良好散热效果的空心纳米材料，实现器件发光区域散热的，有效降低器件在工况下发光区域温度升高对空穴传输层的损坏。发光区域温度升高对空穴传输层的损坏。发光区域温度升高对空穴传输层的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可以把电能转化为光能的固态半导体点光源器件。根据发光层采用的材料不同，发光二极管主要包括无机发光二极管(Inorganic Light Emitting Diode,iLED)、高分子发光二极管(Polymer Light Emitting Diode,PLED)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dots Light Emitting Doides,QLEDs)。目前，专利技术二极管的结构通常采用包括透明阳极/空穴传输层(HTL)/发光层(EML)/电子传输层(ETL)/金属阴极的多层结构；因此，在器件工况下，发光区域发光时所产生的热量会对空穴传输层造成影响，导致空穴传输层被损坏。因此，为得到性能更好的发光二极管，仍需要对发光二极管的各层材料或器件结构进行优化。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括层叠设置的空穴传输层和发光层，所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料和导热材料；所述导热材料为空心纳米材料；其中，所述空穴传输材料与所述导热材料形成混合材料体；或者至少部分所述导热材料在所述空穴传输层的靠近所述发光层的一侧形成独立材料体。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层包括空穴传输膜层和导热修饰层；所述空穴传输膜层由所述空穴传输材料形成；所述导热修饰层由所述导热材料形成；所述导热修饰层设置于所述空穴传输膜层与所述发光层之间。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空心纳米材料的导热系数在2W/m
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‑1以上。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空心纳米材料的空穴迁移率在1
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‑1以上。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空心纳米材料为空心金属氧化物纳米颗粒。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：