复合材料及制备方法、电致发光器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种复合材料，包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的亲电试剂，所述亲电试剂选自S及Se中的至少一种。本申请的复合材料中的空穴传输材料可以与亲电试剂形成配位键，从而提高由所述复合材料制备得到的空穴传输层中的空穴浓度，提高空穴传输层的空穴迁移率，进而有效地促进包括所述空穴传输层的电致发光器件的电子

【技术实现步骤摘要】
复合材料及制备方法、电致发光器件及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种复合材料、所述复合材料的制备方法、包括所述复合材料的电致发光器件、及包括所述电致发光器件的显示装置。

技术介绍

[0002]电致发光器件具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等特性，能满足消费者对显示技术的需求，而被广泛应用于显示领域。目前广泛使用的电致发光器件为有机电致发光器件(OLED)和量子点电致发光器件(QLED)。
[0003]传统的电致发光器件的结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，电致发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。然而，现有的电致发光器件存在电子
‑
空穴注入不平衡的问题，而导致电致发光器件的发光效率低且寿命短。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种复合材料及电致发光器件，旨在改善现有的电致发光器件发光效率低及寿命短的问题。
[0005]本申请实施例是这样实现的，一种复合材料，包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的亲电试剂，所述亲电试剂选自S及Se中的至少一种。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输材料中包含N原子，所述亲电试剂与所述N原子形成配位键。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输材料选自TFB、TPTE、Poly
‑
TPD、spiro
‑
TAD、TDAB、PTDATA、PVK及NPB中的至少一种。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述复合材料中，所述空穴传输材料的含量为90
‑
99wt％，所述亲电试剂的含量为1
‑
10wt％。
[0009]相应的，本申请实施例还提供一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：
[0010]提供空穴传输材料及亲电试剂；
[0011]加热所述亲电试剂及空穴传输材料，使亲电试剂蒸发形成亲电试剂蒸汽，亲电试剂蒸汽与空穴传输材料反应，得到复合材料。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输材料与所述亲电试剂的质量比的范围为(9:1)
‑
(99:1)。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输材料选自TFB、TPTE、Poly
‑
TPD、spiro
‑
TAD、TDAB、PTDATA、PVK及NPB中的至少一种。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述亲电试剂为具有氧化性的单质，所述具有氧化性的单质选自S及Se中的至少一种。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述加热的温度范围为90
‑
210℃。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述加热在真空条件下进行，所述真空条件为真空度小于等于10
‑5Pa。
[0017]相应的，本申请实施例还提供一种电致发光器件，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层中包括上述复合材料，或者，所述空穴传输层中包括由上述制备方法制得的复合材料。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极为掺杂金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS；
[0019]所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料、及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、ZnCdSe/ZnSe/ZnS中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的至少一种；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种；
[0020]所述阴极的材料选自Ag、Al、Au及合金中的至少一种。
[0021]相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述电致发光器件。
[0022]本申请的复合材料中的空穴传输材料可以与亲电试剂形成配位键，从而提高由所述复合材料制备得到的所述空穴传输层中的空穴浓度，提高所述空穴传输层的空穴迁移率，进而有效地促进包括所述空穴传输层的电致发光器件的电子
‑
空穴传输平衡，提高电致发光器件的发光效率及寿命。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本申请实施例提供的一种复合材料的制备方法流程图；
[0025]图2是本申请实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
[0026]图3是本申请实施例提供的另一种电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指器件实际使用或工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于：所述复合材料包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的亲电试剂，所述亲电试剂选自S及Se中的至少一种。2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于：所述空穴传输材料中包含N原子，所述亲电试剂与所述N原子形成配位键。3.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于：所述空穴传输材料选自TFB、TPTE、Poly
‑
TPD、spiro
‑
TAD、TDAB、PTDATA、PVK及NPB中的至少一种。4.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于：所述复合材料中，所述空穴传输材料的含量为90
‑
99wt％，所述亲电试剂的含量为1
‑
10wt％。5.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供空穴传输材料及亲电试剂；加热所述亲电试剂及空穴传输材料，使亲电试剂蒸发形成亲电试剂蒸汽，亲电试剂蒸汽与空穴传输材料反应，得到复合材料。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述空穴传输材料与所述亲电试剂的质量比的范围为(9:1)
‑
(99:1)。7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述空穴传输材料选自TFB、TPTE、Poly
‑
TPD、spiro
‑
TAD、TDAB、PTDATA、PVK及NPB中的至少一种。8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述亲电试剂为具有氧化性的单质，所述具有氧化性的单质选自S及Se中的至少一种。9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述加热的温度范围为90
‑
210℃。10.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述加热在真空条件下进行，所述真空条件为真空度小于等于10
‑5Pa。11.一种电致发光器件，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，其特征在于：所述空穴传输层中包括权利要求1
‑
4任意一项所述的复合材料，或者，所述空穴传输层中包括权利要求5
‑
10任意一项所述的制备方法制得的...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振垒，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：