电镜图像处理方法、设备及计算机可读存储介质技术

本公开提供一种电镜图像处理方法、设备及计算机可读存储介质，属于半导体技术领域。该方法包括：分割电镜图像以获得电镜图像中的连通区域；确定连通区域中对应有源区域的目标连通区域；获得目标连通区域的面积；根据目标连通区域的面积确定有源区域是否异常。本公开通过目标连通区域的面积确定有源区域是否异常，对存在异常的情况，及时改善，避免对后续制程产生影响，从而提高半导体的制造良率。从而提高半导体的制造良率。从而提高半导体的制造良率。

【技术实现步骤摘要】
电镜图像处理方法、设备及计算机可读存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种电镜图像处理方法、计算机设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体
中，物理失效分析（Physical Failure Analysis，PFA）是增强半导体工艺和提高产品良率的重要方法。PFA实验室会拍摄各种场景的电镜图像（也可称之为电镜切片图像），通过电镜切片图像来分析产品是否符合要求。例如，通过电镜切片图像来分析半导体结构的有源区（Active area，AA）是否符合要求，AA结构的头部做的过大或过小都会导致AA结构接触面不足，从而引发AA结构导电性能变差，甚至出现失效单元（Fail Bit，FB），因此监测AA结构的面积尤其重要。

技术实现思路

[0003]本公开的目的在于提供一种电镜图像处理方法、设备及计算机可读存储介质，能够提高半导体产品的制造良率。
[0004]本公开实施例提供了一种电镜图像处理方法，所述电镜图像中包括半导体结构的有源区域。该方法包括：分割所述电镜图像以获得所述电镜图像中的连通区域；确定所述连通区域中对应所述有源区域的目标连通区域；获得所述目标连通区域的面积；根据所述目标连通区域的面积确定所述有源区域是否异常。
[0005]本公开实施例提供了一种电镜图像处理装置，所述电镜图像中包括半导体结构的有源区域。该装置包括：分割模块，用于分割所述电镜图像以获得所述电镜图像中的连通区域；确定模块，用于确定所述连通区域中对应所述有源区域的目标连通区域；获得模块，用于获得所述目标连通区域的面积；异常判断模块，用于根据所述目标连通区域的面积确定所述有源区域是否异常。
[0006]根据本公开的另一个方面，提供一种计算机设备，包括一个或多个处理器；存储器，配置为存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述计算机设备实现本公开任一实施例中的电镜图像处理方法。
[0007]根据本公开的又一个方面，提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于由处理器加载并执行，以使得具有所述处理器的计算机设备执行本公开任一实施例中的电镜图像处理方法。
[0008]根据本公开的又一个方面，提供一种计算机程序产品，该计算机程序被处理器执行时实现本公开任一实施例中的电镜图像处理方法。
[0009]本公开一些实施例所提供的电镜图像处理方法，通过分割电镜图像以获得电镜图像中的连通区域，在获取到的连通区域中确定与有源区域对应的目标连通区域，再获得目标连通区域的面积，根据目标连通区域的面积确定有源区域是否异常，对存在异常的情况，及时改善，避免对后续制程产生影响，从而可以提高半导体的制造良率。
附图说明
[0010]图1示出了本公开实施例提供的一种晶圆的结构示意图。
[0011]图2示出了本公开实施例提供的AA结构示意图。
[0012]图3示出了本公开实施例提供的电镜图像处理系统。
[0013]图4示出本公开一实施例中电镜图像处理方法的流程图。
[0014]图5示出本公开一实施例中AA结构的切面图。
[0015]图6示出本公开一实施例中AA结构的电镜图像。
[0016]图7示出本公开实施例中最小外接矩形的示意图。
[0017]图8示出本公开实施例中闭合曲线轮廓的示意图。
[0018]图9示出本公开实施例中头部有源区域和中间有源区域的分布示意图。
[0019]图10示出本公开实施例中预处理后的电镜图像。
[0020]图11示出本公开实施例中旋转倾斜角度后的电镜图像。
[0021]图12示出本公开实施例中AA结构的区域的示意图。
[0022]图13示出本公开实施例中目标连通区域的示意图。
[0023]图14示出本公开实施例中第一目标连通区域和第二目标连通区域的示意图。
[0024]图15示出本公开实施例中目标连通区域面积计算结果示意图。
[0025]图16示出本公开实施例中一种电镜图像处理装置示意图。
[0026]图17示出本公开实施例中一种计算机设备的结构示意图。
[0027]图18示出本公开实施例中一种计算机可读存储介质示意图。
具体实施方式
[0028]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
[0029]此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
[0030]应当理解，本公开的方法实施方式中记载的各个步骤可以按照不同的顺序执行，和/或并行执行。此外，方法实施方式可以包括附加的步骤和/或省略执行示出的步骤。本公开的范围在此方面不受限制。
[0031]需要注意，本公开中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
[0032]需要注意，本公开中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”，其中“多个”是指两个或两个以上。
[0033]半导体制造工艺可以划分为前段制程和后段制程。前段制程是针对整片晶圆
（Wafer）的工序，其可以包括晶圆制造和晶圆测试（测试对象是针对整片Wafer中的每一个Die（晶粒），目的是确保整片Wafer中的每一个Die都能基本满足器件的特征或者设计规格书，可以包括电压、电流、时序和功能等的验证）。其中，图1示出了本公开实施例提供的一种晶圆的结构示意图。如图1所示，晶圆（Wafer）10上可以包括多个Die 11。后段制程是对由晶圆分划片封装后的一个个芯片入手的各项工序，其可以包括封装、最终测试和成品入库等各道工序。
[0034]诸如动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM）等半导体器件，半导体器件的结构包括衬底，衬底包括存储阵列区和外围电路区。示例性的，存储阵列区的衬底中包括浅槽隔离结构和多个有源区，多个有源区呈阵列排布，浅槽隔离结构位于相邻有源区之间，以隔离相邻有源区。每个有源区可包括一个或两个晶体管。例如，每个有源区包括两个并列排布的晶体管，两个晶体管的漏极共用，并且可与同一位线相连。其中一个晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电镜图像处理方法，其特征在于，所述电镜图像中包括半导体结构的有源区域；其中，所述方法包括：分割所述电镜图像以获得所述电镜图像中的连通区域；确定所述连通区域中对应所述有源区域的目标连通区域；获得所述目标连通区域的面积；根据所述目标连通区域的面积确定所述有源区域是否异常。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镜图像中还包括所述半导体结构的字线区域；其中，分割所述电镜图像以获得所述电镜图像中的连通区域，包括：分割所述电镜图像以获得所述字线区域和所述有源区域对应的连通区域；确定所述连通区域中对应所述有源区域的目标连通区域，包括：分别获得所述字线区域和所述有源区域对应的连通区域的最小外接矩形属性；根据所述最小外接矩形属性从所述字线区域和所述有源区域对应的连通区域中确定所述目标连通区域。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述最小外接矩形属性包括所述连通区域的最小外接矩形的长度、面积、周长中的至少一项；其中，根据所述最小外接矩形属性从所述字线区域和所述有源区域对应的连通区域中确定所述目标连通区域，包括以下中的至少一项：将最小外接矩形的长度小于长度阈值的连通区域确定为所述目标连通区域；将最小外接矩形的面积小于面积阈值的连通区域确定为所述目标连通区域；将最小外接矩形的周长小于周长阈值的连通区域确定为所述目标连通区域。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的方法，其特征在于，获得所述目标连通区域的面积，包括：获得所述目标连通区域对应的闭合曲线轮廓在目标坐标上的第一端点和第二端点；根据所述第一端点和所述第二端点将所述闭合曲线轮廓划分为第一曲线和第二曲线；根据所述第一曲线和所述第二曲线的线积分之差获得所述目标连通区域的面积。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，获得所述目标连通区域对应的闭合曲线轮廓在目标坐标上的第一端点和第二端点，包括：获得所述闭合曲线轮廓在所述目标坐标上的最小值和最大值；根据所述最小值确定所述第一端点，并根据所述最大值确定所述第二端点。6.根据权利要求1
‑
3任一项所述的方法，其特征在于，所述电镜图像中还包括所述半导体结构的字线区域，所述字线区域将所述有源区域划分为头部有源区域和中间有源区域；所述目标连通区域包括所述头部有源区域对应的第一目标连通区域和所述中间有源区域对应的第二目标连通区域；其中，获得所述目标连通区域的面积，包括：标识所述目标连通区域中的所述第一目标连通区域和所述第二目标连通区域；分别获得所述第一目标连通区域的第一面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄雪峰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：