一种NORFlash的版图及制备方法技术

本发明专利技术提供一种NOR Flash的版图及制备方法，NOR Flash的版图包括有源区图形、浮栅图形和控制栅图形，浮栅图形与有源区图形垂直相交设置，且在每个相交点上均具有一个所述浮栅图形，浮栅图形位于控制栅图形内，使得采用NOR Flash的版图制备时控制栅将浮栅的上表面和侧壁均覆盖，即控制栅将浮栅的五个表面覆盖，从而增加了两个覆盖表面，使得优化后的NOR Flash的版图可以提高NOR Flash存储单元的耦合系数，降低高压器件工艺的实现难度，同时本发明专利技术的版图简单、可操作性高、易于实现。易于实现。易于实现。

【技术实现步骤摘要】
一种NOR Flash的版图及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种NOR Flash的版图及制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，半导体存储器为人们工作生活中数据的存储、传输带来更多的便利，不断深入研究和开发半导体存储器可以提高数据存储的安全性和使用效率。存储器可分为易失型存储器和非易失型存储器，易失型存储器只有在通电时才能够进行存储，而非易失型存储器即使在断电时，数据仍能够存储而不丢失。理想的非易失存储器具有集成度高、存取速度快、功耗低、工作温度范围宽、单电源操作等优点，使得非易失存储器可以广泛应用于生产生活中。NOR Flash作为非易失型存储器的一种，其可以实现在线电可擦除、可编程操作，并且具备易于使用、低成本、高可靠性的优点，使得NOR Flash成为半导体发展历程中使用非常悠久的一种非易失性存储器，并且几乎在每一种电子产品中都可见到NOR Flash的身影，其对于非易失性存储器的发展具有重要里程碑意义。
[0003]如图1所示，目前的NOR Flash由下至上依次包括P型衬底、隧道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NOR Flash的版图，其特征在于，包括有源区图形、浮栅图形和控制栅图形，所述浮栅图形与有源区图形垂直相交设置，且在每个相交点上均具有一个所述浮栅图形，所述浮栅图形位于所述控制栅图形内。2.如权利要求1所述的NOR Flash的版图，其特征在于，所述浮栅图形在第二方向上的长度较所述控制栅图形在第二方向上的长度小0.15μm，且所述浮栅图形在第二方向上的轴线与所述控制栅图形在第二方向上的轴线重叠。3.如权利要求1所述的NOR Flash的版图，其特征在于，所有所述有源区图形沿第一方向平行设置，且每个所述有源区图形沿第二方向延伸；以及所有所述控制栅图形沿第二方向平行设置，且每个所述控制栅图形沿第一方向延伸。4.如权利要求1所述的NOR Flash的版图，其特征在于，所述浮栅图形沿第一方向的长度大于所述有源区图形沿第一方向的长度。5.一种NOR Flash的制备方法，采用如权利要求1～4中任一项所述的NOR Flash的版图，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一衬底，采用有源区图形在所述衬底上形成有源区，采用浮栅图形在所述有源区的衬底上形成浮栅，所述浮栅还沿第一方向覆盖所述有源区两侧的部分衬底；步骤S2：采用控制栅图形在所述浮栅上形成控制栅，所述控制栅覆盖所述浮栅的上表面和侧壁；以及步骤S3：在所述有源区形成源极和漏极，以形成NOR Flash的存储单元，从而形成NOR Flash。6.如权利要求5所述的NOR Flash的制备方法，其特征在于，步骤S1具体包括：提供一衬底，所述衬底中形成有p阱区，在所述p阱区的衬底上形成有隧穿氧化层；采用所述有源区图形通过刻蚀工艺在所述衬底上形成有源区，使得所述隧穿氧化层覆盖所述有源区的衬底，所述有源区...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洋，周长见，沈安星，张有志，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：