一种基于离子注入的兰姆波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于离子注入的兰姆波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底上表面刻蚀凹槽并在凹槽内填充牺牲层并抛光；在抛光后衬底上表面生长一层支撑层用于缓冲过渡；对单晶压电薄膜进行局部离子注入，并与支撑层进行键合；释放所述牺牲层，得到空气腔；在单晶压电薄膜上表面制作叉指电极。通过本发明专利技术提供的新型兰姆波谐振器及其制备方法，解决了现有的兰姆波谐振器杂波太多的问题，抑制了A0模式从谐振器的谐振区域带走能量，提升了谐振器的性能。了谐振器的性能。了谐振器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于离子注入的兰姆波谐振器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及通信器件领域，主要涉及一种兰姆波谐振器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着无线通讯集成化需求增加，滤波器作为无线通讯的核心元器件，其性能关系整个系统的性能好坏。SAW/BAW滤波器由于体积小、选择性好、成本低的压倒性优势，在2G、2.5G、3G、4G
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LTE等传统网络的射频前端中，已经处于无可撼动地位。但是随着5G技术的发展，频段数目的增加，传统的SAW/BAW滤波器已经不能满足5G射频前端的要求。
[0003]研究学者们专利技术了一种新型的兰姆波谐振器（XBAR），器件采用平板引导声波在压电薄膜上传播。与声表面波相似，该器件也实现了通过叉指换能器用电激励声波的产生，因此保留了 SAW 技术的声学性。另一方面，器件的制造采用 FBAR 技术平台，因此与集成电路技术兼容。独特的结合两种器件的优势，使兰姆波技术成为替代声表面波技术的集成电路兼容的选择。因此采用铌酸锂或者钽酸锂单晶压电薄膜材料，制备出高频、大机电耦合系数、高Q值的兰姆波谐振器（XB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于离子注入的兰姆波谐振器，其特征在于，包括衬底；形成于衬底上方的支撑层；形成于支撑层上方的单晶压电薄膜；形成于单晶压电薄膜上表面的叉指电极以及单晶压电薄膜内部经过离子注入处理形成声阻抗突变部；还包括一声波反射结构形成于单晶压电薄膜下方。2.根据权利要求1所述一种基于离子注入的兰姆波谐振器，其特征在于，声波反射结构位于单晶压电薄膜的谐振区域正下方；所述声波反射结构为空气腔，或者是由高低声学阻抗材料交替构成的布拉格反射层。3.根据权利要求1所述一种基于离子注入的兰姆波谐振器，其特征在于，所述声阻抗突变部被部分施加离子注入或全部施加离子注入；离子注入的位置为叉指电极的正下方；离子注入的宽度大于或等于叉指电极宽度。4.根据权利要求1所述一种基于离子注入的兰姆波谐振器，其特征在于，所述叉指电极的线条宽度为0.25
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5μm，所述叉指电极的厚度为100nm
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3μm；所述单晶压电薄膜厚度为0.05
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5μm，所述单晶压电薄膜上下表面粗糙...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵洪元，杨洋，房子敬，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：