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本发明公开了一种基于离子注入的兰姆波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底上表面刻蚀凹槽并在凹槽内填充牺牲层并抛光；在抛光后衬底上表面生长一层支撑层用于缓冲过渡；对单晶压电薄膜进行局部离子注入，并与支撑层进行键合；释放所述牺牲层，得到...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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