一种体声波谐振器及包括其的封装组件和电子设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种体声波谐振器及包括其的封装组件和电子设备，体声波谐振器包括：衬底、谐振结构、声波反射结构、集成电容以及至少两个键合焊盘，谐振结构包括上电极、压电层和下电极；声波反射结构形成在衬底中或衬底上；声波反射结构和谐振结构之间的重叠区域为体声波谐振器的谐振区域；键合焊盘形成在衬底上，其所在的区域为键合区域；谐振区域和键合区域之间的区域为体声波谐振器的非谐振区域；集成电容包括上极板、介电层和下极板，集成电容形成在体声波谐振器的非谐振区域和/或键合区域；至少一个键合焊盘的至少一部分作为集成电容的上极板或下极板。通过采用本方案，能够实现器件的小型化。实现器件的小型化。实现器件的小型化。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器及包括其的封装组件和电子设备


[0001]本技术涉及一种电子设备，更具体而言，涉及一种包括体声波谐振器及包括其的封装组件和电子设备。

技术介绍

[0002]便携式通信设备，例如手机、笔记本、个人数字助理、全球定位系统和北斗等，需通过各种通信网络进行通信。便携式通信设备通常包括射频前端模块，对于射频前端模块来说，滤波器是射频前端模块的主要器件。随着通信技术的快速发展，滤波器不断朝着小型化、多频段的方向演进，同时对滤波器的插入损耗、带外抑制、滚降、带宽等方面的要求也越来越高。由体声波谐振器构成的体声波滤波器以较小的体积、较低的插损、良好的带外抑制和优越的滚降特性能很好地满足了射频前端滤波的需求，因此得到了广泛的应用。
[0003]体声波滤波器中带宽的增加需要通过采用机电耦合系数较高的体声波谐振器来实现，然而越高的机电耦合系数越不利于体声波滤波器实现优越的滚降特性。为解决上述技术矛盾，可通过对体声波谐振器串联或并联电容器的方式来减少体声波谐振器的机电耦合系数以增强体声波滤波器的滚降特性。
[0004]对体声波谐振器串联或并联电容器的具体实现上，现有技术中存在使用分立的电容器与体声波滤波器芯片中的体声波谐振器连接的方式来实现。现有技术中也存在将体声波谐振器的下电极的正下方形成另一电极层，通过下电级与另一电极层之间形成绝缘介质的方式来将电容器集成在滤波器芯片中。然而，现有的方法中或者由于电容器为分立的结构，不利于体声波滤波器的小型化；或者在电容器的制作上需要增加额外的工艺步骤，提高了制造成本。<br/>
技术实现思路

[0005]为克服现有技术中的上述缺陷，本技术提供一种包括集成电容的体声波谐振器。
[0006]在下文中将给出关于本技术的简要概述，以便提供关于本技术某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分，也不是意图限定本技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
[0007]根据本技术的一方面提供一种体声波谐振器，包括：衬底；谐振结构，所述谐振结构包括上电极、压电层和下电极；声波反射结构，所述声波反射结构形成在所述衬底中或所述衬底上；所述声波反射结构和所述谐振结构之间的重叠区域为体声波谐振器的谐振区域；至少两个键合焊盘，所述键合焊盘形成在所述衬底上，其所在的区域为键合区域；所述谐振区域和所述键合区域之间的区域为所述体声波谐振器的非谐振区域；集成电容，所述集成电容包括上极板、介电层和下极板，所述集成电容形成在所述体声波谐振器的所述非谐振区域和/或键合区域；至少一个所述键合焊盘的至少一部分作为所述集成电容的上
极板或下极板。
[0008]进一步的，所述集成电容的上极板与所述体声波谐振器的上电极同层设置，且由相同的导电材料制成。
[0009]进一步的，所述集成电容的上极板与所述体声波谐振器的上电极一体设置。
[0010]进一步的，所述集成电容的下极板与所述体声波谐振器的下电极同层设置，且由相同的导电材料制成。
[0011]进一步的，所述集成电容的下极板与所述体声波谐振器的下电极一体设置。
[0012]进一步的，所述集成电容的介电层与所述体声波谐振器的压电层同层设置，且由相同的导电材料制成。
[0013]进一步的，所述集成电容的介电层与所述体声波谐振器的压电层一体设置。
[0014]进一步的，所述介电层的介电常数不同于所述压电层的介电常数。
[0015]根据本技术的另一方面提供一种封装组件，包括如前述任一项所述的体声波谐振器。
[0016]根据本技术的再一方面提供一种电子设备，包括如前述的封装组件。
[0017]本技术提供的包括集成电容的体声波谐振器利用体声波谐振器自身富余的空间制备集成电容，不额外占用滤波器的芯片面积，很好的顺应了滤波器小型化的趋势；避免机电耦合系数与滚降特性之间的技术矛盾；利用体声波谐振器中既有的结构制造工序同步形成集成电容，不额外增加工艺步骤，节省了制作成本。
附图说明
[0018]参照附图下面说明本技术的具体内容，这将有助于更加容易地理解本技术的以上和其他目的、特点和优点。附图只是为了示出本技术的原理。在附图中不必依照比例绘制出单元的尺寸和相对位置。
[0019]图1
‑
2示出了本技术包括集成电容的体声波谐振器的一具体实施方式的结构示意图；
[0020]图3示出了本技术包括集成电容的体声波谐振器的封装组件示意图；
[0021]图4
‑
5示出了本技术包括集成电容的体声波谐振器的对比例的结构示意图。
具体实施方式
[0022]在下文中将结合附图对本技术的示例性公开内容进行描述。为了清楚和简明起见，在说明书中并未描述实现本技术的所有特征。然而，应该了解，在开发任何这种实现本技术的过程中可以做出很多特定于本技术的决定，以便实现开发人员的具体目标，并且这些决定可能会随着本技术的不同而有所改变。
[0023]在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本技术，在附图中仅仅示出了与根据本技术的方案密切相关的器件结构，而省略了与本技术关系不大的其他细节。
[0024]应理解的是，本技术并不会由于如下参照附图的描述而只限于所描述的实施形式。本技术中，在可行的情况下，不同实施方案之间的特征可替换或借用、以及在一个实施方案中可省略一个或多个特征。
[0025]请参考图1
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2，图1
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2示出本技术提供的包括集成电容的体声波谐振器的具体实施方式的结构示意图，其中相同的附图标记表示相同的部件。
[0026]如图1
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2所示，体声波谐振器包括衬底100、谐振结构200、集成电容300、键合焊盘400、在衬底100中或衬底100上形成的声波反射结构101、形成在衬底100上的下电极201、形成在下电极201上的压电层202、形成在压电层202上的上电极203以及形成在衬底100上的键合焊盘400。
[0027]进一步地，声波反射结构101、下电极201、压电层202和上电极203之间具有部分的重叠区域，该重叠区域定义为体声波谐振器的谐振区域，谐振区域内的上电极203、压电层202和下电极201构成体声波谐振器的谐振结构200。键合焊盘400所在的区域定义为键合区域，位于谐振区域和键合区域之间的区域定义为体声波谐振器的非谐振区域。如图1中所示，集成电容300位于非谐振区域；或者也可以如图2中所示，集成电容300位于非谐振区域和键合区域。
[0028]体声波谐振器的衬底100可以是例如硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、蓝宝石、氧化铝
、
SiC等与半导体工艺兼容的材料构成。衬底100主要起到支撑体声波谐振器各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底；谐振结构，所述谐振结构包括上电极、压电层和下电极；声波反射结构，所述声波反射结构形成在所述衬底中或所述衬底上；所述声波反射结构和所述谐振结构之间的重叠区域为体声波谐振器的谐振区域；至少两个键合焊盘，所述键合焊盘形成在所述衬底上，其所在的区域为键合区域；所述谐振区域和所述键合区域之间的区域为所述体声波谐振器的非谐振区域；集成电容，所述集成电容包括上极板、介电层和下极板，所述集成电容形成在所述体声波谐振器的所述非谐振区域和/或键合区域；至少一个所述键合焊盘的至少一部分作为所述集成电容的上极板或下极板。2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于：所述集成电容的上极板与所述体声波谐振器的上电极同层设置，且由相同的导电材料制成。3.如权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于：所述集成电容的上极板与所述体声波谐振器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐滨，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：新型
国别省市：