结构黑体和黑体装置制造方法及图纸

本申请提供一种结构黑体和黑体装置，结构黑体包括层叠设置的支撑层和发射层，发射层的远离支撑层的一侧表面具有吸收结构，支撑层的材料与发射层的材料不同。本申请采用支撑层和发射层层叠的结构，在黑体具有发射层的一侧设置吸收结构，实现在各种材料上制备高发射率的黑体。黑体。黑体。

【技术实现步骤摘要】
结构黑体和黑体装置


[0001]本专利技术涉及黑体
，特别是涉及一种结构黑体和黑体装置。

技术介绍

[0002]热成像仪中温度的换算通常将其数据与人造黑体辐射数据进行标定，以便获得温度信息。因此，黑体质量的好坏是热成像仪精度高低的关键因素。
[0003]对于黑体的质量主要包括黑体的密度、发射率、表层稳定性和适用性。黑体的密度越小、表层稳定性越高、适用性强越能够满足多领域使用要求，例如航天领域等。
[0004]因此，如何提供一种兼具发射率好、稳定性高且适用性强的黑体，成为目前迫切需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要提供一种结构黑体和黑体装置，采用支撑层和发射层层叠的结构，在发射层的表面具有吸收结构，使结构黑体具有发射率高和适用性强的特点。
[0006]第一方面，本申请提供一种结构黑体，所述结构黑体包括层叠设置的支撑层和发射层，所述发射层的远离所述支撑层的一侧表面具有吸收结构，所述支撑层的材料与所述发射层的材料不同。
[0007]在一些实施方式中，所述支撑层与所述发射层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构黑体，其特征在于，所述结构黑体包括层叠设置的支撑层和发射层，所述发射层的远离所述支撑层的一侧表面具有吸收结构，所述支撑层的材料与所述发射层的材料不同。2.如权利要求1所述的结构黑体，其特征在于，所述支撑层与所述发射层直接接触。3.如权利要求1所述的结构黑体，其特征在于，所述支撑层靠近所述发射层的一侧表面呈平面状或非平面状。4.如权利要求1所述的结构黑体，其特征在于，所述结构黑体还包括连接层，所述连接层位于所述支撑层与所述发射层之间，所述连接层的材料包含所述支撑层的材料与所述发射层的材料。5.如权利要求4所述的结构黑体，其特征在于，所述连接层自靠近所述发射层的一侧至靠近所述支撑层的一侧，所述连接层的材料中所述发射层的材料的含量逐渐降低。6.如权利要求4所述的结构黑体，其特征在于，所述连接层靠近所述发射层的一侧表面呈平面状或非平面状。7.如权利要求4所述的结构黑体，其特征在于，所述连接层的两侧表面分...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙洪波，周鸿帅，白本锋，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：