纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件技术

本申请公开了一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，该纳米材料通过将金属氢氧化物层包覆在所述纳米金属氧化物表面，以此来钝化纳米金属氧化物表面的缺陷，减少表面缺陷对于电子的捕获，将该纳米材料作为电致发光器件的电子传输层时，可以改善发光层的猝灭效应，从而提高器件的稳定性。此外，该金属氢氧化物层还可以抑制纳米金属氧化物的生长，防止纳米材料的团聚，增强纳米材料的稳定性。增强纳米材料的稳定性。增强纳米材料的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件


[0001]本申请涉及材料领域，具体涉及一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件。

技术介绍

[0002]电致发光又称电场发光，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。
[0003]QLED(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，量子点发光二极管)是一种新兴的电致发光器件，由阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EmL)、电子传输层(ETL)和阴极(Cathode)组成，电子和空穴可分别从阴极和阳极注入，最后在发光层复合形成激子发光。
[0004]但是，以QLED为代表的电致发光器件在研发过程中依旧存在着很多问题，例如发光层激子猝灭的问题，会影响到器件的稳定性。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，旨在减少纳米材料表面的缺陷对于电子的捕获。
[0006]第一方面，本申请提供一种纳米材料，所述纳米材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物表面包覆有金属氢氧化物层。
[0007]可选的，在所述金属氢氧化物层中，所述金属氢氧化物选自Al(OH)3、LiOH或Mg(OH)2中的至少一种。
[0008]可选的，所述纳米金属氧化物选自ZnO纳米颗粒，和/或，掺杂Al的ZnO纳米颗粒。
[0009]可选的，所述金属氢氧化物层的厚度为0.5nm
‑
1.5nm。
[0010]可选的，所述纳米材料由表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物构成，和/或，所述纳米金属氧化物选自掺Al的ZnO纳米颗粒，所述金属氢氧化物选自Al(OH)3。
[0011]第二方面，本申请还提供一种纳米材料的制备方法，所述方法包括：
[0012]将纳米金属氧化物、金属盐以及碱溶液混合，得到表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物。
[0013]可选的，在所述碱溶液中，所述碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化锂中的至少一种；和/或，
[0014]所述金属盐选自Al盐、Li盐或Mg盐；和/或，
[0015]所述纳米金属氧化物选自ZnO纳米颗粒或掺Al的ZnO纳米颗粒中的至少一种；和/或，所述纳米金属氧化物的浓度为0.5mg/mL至2mg/mL。
[0016]可选的，所述金属盐选自氯化铝、硫酸铝或乙酸铝，所述纳米金属氧化物选自掺Al的ZnO纳米颗粒。
[0017]第三方面本申请还提供一种电致发光器件，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和
阳极之间的电子传输层和发光层，所述发光层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置，所述电子传输层的材料包括第一方面所述的纳米材料，或者包括由第二方面所述的方法制成的纳米材料。
[0018]可选的，所述阳极选自铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯、纳米碳管中的一种或多种；和/或，
[0019]所述发光层的材料选自无铬量子点，所述无铬量子点的核选自InP、InGaP、InZnP中的至少一种；所述无铬量子点的壳材料包括GaP、ZnSe、ZnSeS和ZnS等中的一种或多种；和/或，
[0020]所述阴极选自Al、Ca、Ba、Ag中的一种或多种。
[0021]有益效果：
[0022]本申请提供一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，通过将金属氢氧化物层覆盖在所述纳米金属氧化物表面，以此来钝化纳米金属氧化物表面的缺陷，减少表面缺陷对于电子的捕获，将该纳米材料作为电致发光器件的电子传输层时，可以改善发光层的猝灭效应，从而提高器件的稳定性。此外，该金属氢氧化物层还可以抑制纳米金属氧化物的生长，防止纳米材料的团聚，增强纳米材料的稳定性。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0024]图1是本申请实施例提供的一种纳米材料的制备方法的流程示意图；
[0025]图2是本申请实施例提供的一种正置结构的电致发光器件；
[0026]图3是本申请实施例提供的一种倒置结构的电致发光器件；
[0027]图4是本申请实施例中提供的紫外
‑
可见(UV
‑
Vis)吸收光谱的示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0029]本申请实施例提供一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
[0030]首先，本申请实施例提供一种纳米材料，所述纳米材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物表面包覆有金属氢氧化物层。
[0031]本申请通过将金属氢氧化物层覆盖在所述纳米金属氧化物表面，以此来钝化纳米
金属氧化物表面的缺陷，减少表面缺陷对于电子的捕获，将该纳米材料作为电致发光器件的电子传输层时，可以改善发光层的猝灭效应，从而提高器件的稳定性。此外，在制备过程中，该金属氢氧化物层还可以抑制纳米金属氧化物在溶液中的生长，防止纳米材料的团聚，增强纳米材料的稳定性。
[0032]在一些实施例中，在所述金属氢氧化物层中，所述金属氢氧化物选自Al(OH)3、LiOH或Mg(OH)2的至少一种。
[0033]在一些实施例中，所述纳米金属氧化物选自ZnO纳米颗粒，或掺Al的ZnO(ZnAlO)纳米颗粒。这些材料具有高电子迁移率和良好的能带排列，可以极大地提高器件的性能。
[0034]在一些实施例中，所述纳米材料由表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物构成。
[0035]此外，专利技术人在研究中发现，当所述纳米金属氧化物选自掺Al的ZnO，且所述金属氢氧化物选自Al(OH)3时，由于掺Al的ZnO具有较高的电子迁移率和导电性能，通过将Al(OH)3覆盖在所述掺Al的ZnO纳米颗粒的表面，可以在高电子迁移率的前提下消除表面的缺陷态对发光层量子点的猝灭效应。此外，Al(OH)3与掺Al的ZnO纳米颗粒具有较好的晶格匹配度，可以减少界面处的晶格错位的缺陷，因此可以在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物表面包覆有金属氢氧化物层。2.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，在所述金属氢氧化物层中，所述金属氢氧化物选自Al(OH)3、LiOH或Mg(OH)2中的至少一种。3.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米金属氧化物选自ZnO纳米颗粒，和/或，掺杂Al的ZnO纳米颗粒。4.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述金属氢氧化物层的厚度为0.5nm
‑
1.5nm。5.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米材料由表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物构成，和/或，所述纳米金属氧化物选自掺Al的ZnO纳米颗粒，所述金属氢氧化物选自Al(OH)3。6.一种纳米材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将纳米金属氧化物、金属盐以及碱溶液混合，得到表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述碱溶液中，碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化锂中的至少一种；和/或，所述金属盐选自A...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：