纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件技术

本申请公开了一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，该纳米材料通过将金属氢氧化物层包覆在所述纳米金属氧化物表面，以此来钝化纳米金属氧化物表面的缺陷，减少表面缺陷对于电子的捕获，将该纳米材料作为电致发光器件的电子传输层时，可以改善发光层的猝灭效应，从而提高器件的稳定性。此外，该金属氢氧化物层还可以抑制纳米金属氧化物的生长，防止纳米材料的团聚，增强纳米材料的稳定性。增强纳米材料的稳定性。增强纳米材料的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件


[0001]本申请涉及材料领域，具体涉及一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件。

技术介绍

[0002]电致发光又称电场发光，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。
[0003]QLED(Quantum Dots Light
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Emitting Diode，量子点发光二极管)是一种新兴的电致发光器件，由阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EmL)、电子传输层(ETL)和阴极(Cathode)组成，电子和空穴可分别从阴极和阳极注入，最后在发光层复合形成激子发光。
[0004]但是，以QLED为代表的电致发光器件在研发过程中依旧存在着很多问题，例如发光层激子猝灭的问题，会影响到器件的稳定性。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，旨在减少纳米材料表面的缺陷对于电子的捕获。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物表面包覆有金属氢氧化物层。2.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，在所述金属氢氧化物层中，所述金属氢氧化物选自Al(OH)3、LiOH或Mg(OH)2中的至少一种。3.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米金属氧化物选自ZnO纳米颗粒，和/或，掺杂Al的ZnO纳米颗粒。4.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述金属氢氧化物层的厚度为0.5nm
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1.5nm。5.根据权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米材料由表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物构成，和/或，所述纳米金属氧化物选自掺Al的ZnO纳米颗粒，所述金属氢氧化物选自Al(OH)3。6.一种纳米材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将纳米金属氧化物、金属盐以及碱溶液混合，得到表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述碱溶液中，碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化锂中的至少一种；和/或，所述金属盐选自A...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：