反应烧结碳化硅陶瓷及其生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷及其生产工艺，制成该陶瓷的 原料包括：5～8重量份粒度为10～90μm的SiC粉、2～3重量份粒度为 0.1～10μm的SiC粉、0.5～1重量份碳黑粉、0.3～0.8重量份石墨粉和 0.1～0.3重量份聚乙烯醇或羧甲基纤维素液体；经包括配料制浆、注浆成 型、干燥、真空烧结和去沙氧化等工序后制成碳化硅陶瓷。本发明专利技术的生产 工艺成熟可靠，生产碳化硅陶瓷产品性能优良，质量稳定，其硬度、耐温、 耐磨、耐腐蚀均达到了国际反应烧结碳化硅陶瓷水平，广泛应用于陶瓷窑 具、脱硫喷嘴、冶金、化工等行业，并且产品的尺寸变形率＜0.1％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种反应烧结碳化硅陶瓷技术，特别是涉及冶炼炉炉衬、 空间技术上用的火箭发动机尾喷管、各种窑炉窑具、环保脱硫喷嘴等用的 反应烧结碳化硅陶瓷及其生产工艺。
技术介绍
碳化硅陶瓷具有机械强度高，耐高温、抗氧化性强、热稳定性能好、 热导率大、耐磨损性能好、耐化学腐蚀性能好、硬度高、抗热震性能好等 优良特性。而反应烧结碳化硅陶瓷的基本原理是具有反应活性的液硅或 气态硅，在毛细管作用下渗入含碳的多孔陶瓷素坯，并与其中的碳反应生 成碳化硅，新生成的碳化硅原位结合素坯中原有的碳化硅颗粒，浸渗剂填 充素坯中的剩余气孔，完成致密化的过程。但是目前尚没有发现成熟的反 应烧结碳化硅陶瓷的生产工艺，并且生产的反应烧结碳化硅陶瓷其质量不 稳、产品的尺寸变形率较大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供了一种成熟的反应烧结碳化硅陶瓷 生产工艺及反应烧结碳化硅陶瓷，该生产工艺和工艺配方成熟可靠，生产 碳化硅陶瓷产品性能优良，质量稳定，生产的产品尺寸变形率<0. 1%。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是反应烧结碳化硅陶瓷，制成该陶瓷的原料包括5 8重量份粒度为10 90ym的本文档来自技高网...

【技术保护点】
反应烧结碳化硅陶瓷，其特征在于制成该陶瓷的原料包括：５～８重量份粒度为１０～９０μｍ的ＳｉＣ粉、２～３重量份粒度为０．１～１０μｍ的ＳｉＣ粉、０．５～１重量份碳黑粉、０．３～０．８重量份石墨粉和０．１～０．３重量份的聚乙烯醇或羧甲基纤维素液体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王明峰，
申请(专利权)人：潍坊华美精细技术陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：37