【技术实现步骤摘要】
一种用于变流器IGBT半导体驱动电路的散热结构
[0001]本技术涉及半导体驱动电路结构
,具体为一种用于变流器IGBT半导体驱动电路的散热结构。
技术介绍
[0002]IGBT是一种具有MOS输入、双极输出功能的MOS、双极相结合的器件。结构上,它是由成千上万个重复单元组成,是一种采用大规模集成电路技术和功率器件技术制造的一种大功率集成器件。因此IGBT电路非常适合应用于直流电压600伏及以上的变流系统,如交流电机、交流器、变频器、开关电源灯领域。
[0003]对于变流器IGBT半导体驱动电路的散热结构而言,其所受到的最大的工作环境的影响便是高温、灰尘沙土等。经研究,在变频器中各部分损耗主要以功率单元为主,其中IGBT是主要发热源,针对此问题,常规的IGBT半导体驱动电路的散热结构都是配备散热或冷却组件进行散热。常用的散热形式多是液冷和风冷相结合的散热形式,为了使得IGBT半导体驱动电路的散热结构具有更好的散热能力,因此散热机构在和半导体驱动电路的散热结构进行安装设计时通常会预留足够的空间进行散热,固然此种方 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于变流器IGBT半导体驱动电路的散热结构,包括电路基板(1)和固定设置在电路基板(1)上方的IGBT半导体元器件(2),电路基板(1)的前后两端均具有电极接头(12),其特征在于:所述电路基板(1)的前后两端均固定设置有固定侧板(3),电路基板(1)的上方设置有盖板(16),盖板(16)内设置有温度传感器,盖板(16)的前端固定连接有前置移动组件,盖板(16)的后端固定连接有后置移动组件,前置移动组件固定连接有前置电动伸缩杆(4),后置移动组件固定连接有后置电动伸缩杆(15),两个固定侧板(3)之间对称设有油冷机构,前置移动组件与油冷机构的前部齿接,后置移动组件与油冷机构的后部齿接。2.根据权利要求1所述的一种用于变流器IGBT半导体驱动电路的散热结构,其特征在于:所述前置移动组件包括前置横杆(5),前置电动伸缩杆(4)的伸缩端与前置横杆(5)的中部固定连接,前置横杆(5)的两端均固定连接有前置齿条板(6),前置齿条板(6)远离前置横杆(5)的侧面具有齿形面,前置齿条板(6)的上端与盖板(16)的前端固定连接。3.根据权利要求1所述的一种用于变流器IGBT半导体驱动电路的散热结构,其特征在于:所述后置移动组件包括后置横杆(14),后置电动伸缩杆(15)的伸缩端与后置横杆(14)的中部固定连接,后置横杆(14)的两端均固定连接有后置齿条板(13),后置齿条板(13)靠近后置横杆(14)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:郝永清,李襄鹏,包黎明,
申请(专利权)人:国能内蒙古电力蒙西新能源有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。