一种自供能日盲紫外探测器及其制备方法技术

一种自供能日盲紫外探测器及其制备方法，属于光电探测器制备领域，具体方案如下：一种自供能日盲紫外探测器，包括衬底、薄膜a和薄膜b，所述薄膜a生长在衬底上，所述薄膜b生长在薄膜a上，薄膜a和薄膜b上均设置有电极，所述薄膜a和薄膜b均为(In

【技术实现步骤摘要】
一种自供能日盲紫外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电探测器制备领域，具体涉及一种自供能日盲紫外探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]日盲紫外探测器的探测波段为200nm
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280nm。这一波段的太阳辐射会受到臭氧层的强烈吸收，而在地球表面的强度几乎为0，导致无论是在白天还是晚上，户外还是户内，日盲紫外探测器的背景噪声极低，几乎不受太阳光的影响，因此，日盲紫外探测器具有极高的灵敏度以及可见盲紫外探测器和红外探测器均不具备的全天候探测能力。此外，几乎所有的物体都有红外辐射特性，而日盲紫外辐射并不是所有物体的固有特性，这导致相比于红外探测器，日盲紫外探测器还具有极低的虚警率。
[0003]目前，商用的日盲紫外探测器主要为硅基电荷耦合器件(CCD)和光电倍增管。它们在紫外波段均具有较低的暗电流和快速响应能力，然而，它们还具有很多缺点：由于CCD的探测波段范围较宽，覆盖了紫外、可见和红外波段，因此为了增加探测器的紫外可见光谱选择性，需要使用昂贵的高透滤波片来过滤可见和红外波段，这增加了探测器的成本和尺寸；另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自供能日盲紫外探测器，其特征在于：包括衬底、薄膜a和薄膜b，所述薄膜a生长在衬底上，所述薄膜b生长在薄膜a上，薄膜a和薄膜b上均设置有电极，所述薄膜a和薄膜b均为(In
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Ga1‑
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)2O3材料，其中，薄膜a和薄膜b材料中In组分的含量不同。2.根据权利要求1所述的一种自供能日盲紫外探测器，其特征在于：组成薄膜a的(In
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Ga1‑
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)2O3材料中In和Ga的原子比最高为60:40at％，薄膜b的(In
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Ga1‑
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)2O3材料中In和Ga的原子比最高为30:70at％。3.根据权利要求1所述的一种自供能日盲紫外探测器，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底、石英衬底或其他可耐500℃以上高温的衬底材料。4.根据权利要求1所述的一种自供能日盲紫外探测器，其特征在于：所述电极的材料为能与(In
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Ga1‑
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)2O3薄膜形成欧姆接触的金属材料。5.根据权利要求4所述的一种自供能日盲紫外探测器，其特征在于：所述电极材料为Au或In、Au、Au/In合金材料或Ti/Au合金材料。6.根据权利要求1所述的一种自供能日盲紫外探测器，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：矫淑杰，卢洪亮，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：