一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法，所述的紫磷/二硫化钼异质结光电探测器包括：衬底；制备在衬底上的VP层；制备在VP层上的MoS2层；制备在MoS2层上的金属源电极和金属漏电极；MoS2层将VP层完全覆盖，金属源电极和金属漏电极布置在MoS2层和VP层上的重叠部分。本发明专利技术利用MoS2保护VP，可实现在空气中对VP的保护，所制备的光电探测器具有很好的稳定性，可长时间暴露在空气中，克服了VP在空气中不稳定的关键应用瓶颈；本发明专利技术利用VP和MoS2构筑成异质结，基于VP的光门控效应，VP/MoS2异质结器件展现出极高的响应度，探测率及外量子效率。测率及外量子效率。测率及外量子效率。

【技术实现步骤摘要】
一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法


[0001]本专利技术涉及光电探测
，具体涉及一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法。

技术介绍

[0002]光电探测器是一种能够将光信号转换成电信号的电子器件，是光电系统的重要组成部分。随着信息时代的发展，光电设备已经广泛应用于日常众多领域，包括光电显示器、成像、环境监控、光通信、军事、安全检查等。光电探测器作为光电设备的核心部件，它的研究与应用不断地推动科学技术的发展。
[0003]二维材料因独特的物理、化学和电子特性使其在下一代光电子器件领域具有广阔的应用前景。其中，二维过渡金属硫族化合物(TMDs，如MoS2、WSe2等)具有厚度可调的带隙、高的载流子迁移率、强的光物质相互作用和柔性结构，可用于构建高性能场效晶体管、光电探测器、存储器、太阳能电池和自旋电子器件等。同时，二维材料可以像搭积木一样灵活组合，通过设计得到二维材料异质结，弥补不同二维材料各自的不足，从而获得更优良的光电特性，异质结结构为制备新型光电器件提供了巨大的机会，因此，探索基于新型二维材料的高性能光电器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器，其特征在于，所述的紫磷/二硫化钼异质结光电探测器包括：衬底；制备在所述的衬底上的VP层；制备在所述的VP层上的MoS2层；制备在所述的MoS2层上的金属源电极和金属漏电极；所述的MoS2层将VP层完全覆盖；所述的金属源电极和金属漏电极放置在MoS2层和VP层上的重叠部分。2.如权利要求1所述的紫磷/二硫化钼异质结光电探测器，其特征在于，所述的衬底为刚性衬底或柔性衬底。3.如权利要求2所述的紫磷/二硫化钼异质结光电探测器，其特征在于：所述的刚性衬底为表面设置二氧化硅绝缘层的硅衬底、石英玻璃、蓝宝石或云母；所述的柔性衬底为聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷或聚对苯二甲酸乙二醇酯。4.如权利要求1所述的紫磷/二硫化钼异质结光电探测器，其特征在于：所述的VP层的厚度为1nm～150nm。5.如权利要求1所述的紫磷/二硫化钼异质结光电探测器，其特征在于，所述的MoS2层的厚度为1nm～100nm。6.如权利要求1所述的紫磷/二硫化钼异质结光电探测器，其特征在于，所述的金属源电极或金属漏电极选自Cr、Ti、Ni、Au、Pd、Pt和Ag中的一种或者多种的组合。7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀，徐华，江曼，祝涛，李亚蓉，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：