预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法技术

本发明专利技术涉及预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，包括以下步骤，将铜片放置在氧化铝基板或者氮化铝基板上，然后进行氧化，铜片与空气接触的表面形成氧化亚铜；然后在铜片上表面开设贯穿两个侧面的引脚孔，在引脚孔内填充阻隔物；翻转铜片倒扣在氮化铝基板或氧化铝基板上，铜片具有氧化亚铜的一面与氮化铝基板或氧化铝基板贴合，进行烧结；在铜片表面设置多个去除区，去除区包括去除一区和去除二区，去除一区水平截面投影位于引脚孔水平截面投影内，去除二区位于两个去除一区之间，去除区去除被铜片上水平截面投影与去除区水平截面投影相重合的铜，最后去除阻隔物形成引脚，本方法能够在不影响铜板与氮化铝基板或氧化铝基板连接牢固性的情况下，加工出铜板的引脚。脚。脚。

【技术实现步骤摘要】
预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法


[0001]本专利技术属于氮化铝基板
，具体涉及一种预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法。

技术介绍

[0002]目前，氮化铝陶瓷基覆铜板的制造方法主要有两种：（1）直接键合铜技术（DBC）；（2）直接镀铜技术（DPC)。
[0003]其中直接键合铜技术对工艺温度的控制要求十分严苛，必须于温度极度稳定在1050
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1090℃温度范围下，才能使铜层表面熔解为共晶相，实现与陶瓷基板的紧密结合。
[0004]而DPC是一种把真空镀膜与电镀技术结合在一起的覆铜板制造技术，其原理是先利用真空镀膜技术在氧化铝或氮化铝陶瓷基板上沉积一层铜膜，再用电镀技术进行铜膜的增厚。DPC的工艺温度一般低于400℃，避免了高温对于材料所造成的破坏或尺寸变异的现象。DPC陶瓷基覆铜板具有高散热、高可靠度、高精准度及制造成本低等优点。DPC陶瓷基覆铜板的金属线路解析度上限约在10
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50um之间（以深宽比1:1为标准），甚至可以更细，且表面平整度高，因此非常适合于要求高线路精准度与高平整度的覆晶/共晶工艺使用。但是使用电镀技术一方面会造成环境的污染，另一方面通过电镀镀上的铜膜与陶瓷基板的结合力不是很强，且电镀过程中会产生微气孔或孔洞。
[0005]现有技术中采用两种方式制作出氮化铝陶瓷基覆铜板在其铜板上开设引脚时非常的困难，开设引脚就需要将引脚与氮化铝陶瓷基覆铜板之间开设出引脚处，开设的时候可能会影响到铜板与氮化铝陶瓷基之间的连接牢固性，有鉴于此，遂有了本方案的产生。

技术实现思路

[0006]鉴于现有技术的不足，本专利技术所要解决的技术问题是提供一种预开槽铜板生产带引脚氮化铝陶瓷覆铜基本的方法，它能够在不影响铜板与氮化铝基板连接牢固性的情况下，加工出铜板的引脚。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：预开槽铜板生产带引脚氮化铝陶瓷覆铜基本的方法，包括以下步骤：S1：将铜片放置在氮化铝基板或氮化铝基板上，然后进行烧结，铜片与空气接触的表面形成氧化亚铜；S2：然后在铜片上表面开设贯穿两个侧面的引脚孔，在引脚孔内填充阻隔物；S3：翻转铜片倒扣在氮化铝基板或氧化铝基板上，铜片具有氧化亚铜的一面与氮化铝基板贴合，进行二次烧结；S4：在铜片表面设置多个去除区，去除区包括去除一区和去除二区，去除一区水平截面投影位于引脚孔水平截面投影内，去除二区位于两个去除一区之间，去除区去除被铜片上水平截面投影与去除区水平截面投影相重合的铜，最后去除阻隔物形成引脚。
[0008]进一步，所述预开槽铜板生产带引脚氮化铝陶瓷覆铜基本的方法还包括步骤S5，
S5：在氮化铝基板表面开设易掰槽，易掰槽水平截面投影位于引脚孔水平面投影内。
[0009]进一步，所述步骤S3中引脚孔数量为多个，多个引脚孔沿铜片长度方向等间隔设置。
[0010]进一步，步骤S2中阻隔物为氧化镁固体。
[0011]进一步，所述步骤S5中采用激光切割的方式在氮化铝基板或氧化铝基板上开设易掰槽。
[0012]进一步，所述步骤S4中去除引脚孔与去除区之间的铜采用显影蚀刻工艺进行去除。
[0013]进一步，所述步骤S1中烧结温度为450
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600摄氏度。
[0014]进一步，所述步骤S2中烧结温度为1055
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1085摄氏度。
[0015]进一步，所述步骤S1中氮化铝基板或氧化铝基板水平截面投影覆盖铜片水平截面投影。
[0016]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1.本专利技术通过将铜片放置在氮化铝基板或氧化铝基板上进行第一次烧结，跟空气接触的铜片表面和周面会形成氧化亚铜层，然后在铜片上表面开设多个等间隔设置的引脚孔，开设出的引脚孔底面和侧面都是铜，然后在引脚孔内填充阻隔物，在将铜片倒扣在氧化铝基板或氮化铝基板上，进行烧结，烧结目的是为了让铜片与氧化铝基板或氮化铝基板烧结连接在一起，在1070摄氏度下具有氧化亚铜的一面与氮化铝基板之间产生Cu
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Cu2O共晶相，使得铜片与氮化铝基板牢牢连接在一起，设置阻隔物的目的是防止引脚孔上方的铜片与氮化铝基板连接在一起，烧结完成后，在铜片表面进行显影蚀刻，铜片上去除一区和去除二区竖直方向上的铜被蚀刻掉，铜片形成引脚，去除阻隔物，从引脚孔中线宽度方向上的中线进行切割，形成了具有引脚的氧化铝基板或氮化铝基板覆铜片，本方法通过在烧结氧化铝基板或氮化铝基板和铜片前，先开设了引脚孔，然后用阻隔物防止烧结时引脚孔上方铜和陶瓷面接触，再通过显影蚀刻工艺将引脚孔上方的铜蚀刻掉，从而直接形成了具有引脚的氧化铝基板或氮化铝基板覆铜片，相比与现有技术制作铜片引脚的方法更加的合理，且不会影响铜片与氧化铝基板或氮化铝基板连接牢固度。
[0017]2.设置阻隔物的目的是防止烧结时，引脚孔上方的铜片与氧化铝基板或氮化铝基板连接在一起。
[0018]3.设置易掰槽的目的是为了在要使用时，方便将形成了具有引脚的氧化铝基板或氮化铝基板覆铜片沿易掰槽掰成两片。
[0019]4.通过显影蚀刻工艺进行去除去除区，更加的精准和合理，符合氧化铝基板或氮化铝基板覆铜片的产品制作要求。
附图说明
[0020]图1为本专利技术步骤S1氮化铝基板和铜片的剖视截面示意图；图2为本专利技术步骤S2开设引脚槽后氮化铝基板和铜片的剖视结构示意图；图3为本专利技术步骤S3氮化铝基板和铜片的剖视结构示意图；图4为本专利技术实施例1制作完成的氮化铝基板和铜片的剖视结构示意图；图5为本专利技术实施例2制作完成的氮化铝基板和铜片的剖视结构示意图；
图6为本专利技术实施例1分割后氮化铝基板和铜片的剖视结构示意图；图7为本专利技术实施例2分割后氮化铝基板和铜片的剖视结构示意图。
[0021]图中标记：1、氮化铝基板；11、易掰槽；2、铜片；21、引脚孔；3、第一隔断通道；4、第二隔断通道；5、阻隔物。
具体实施方式
[0022]为了让本专利技术的上述特征和优点更明显易懂，下面特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。
[0023]实施例1如图1
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4和6所示，本实施例提供一种预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基本的方法包括以下步骤：本实施例采用氮化铝基板1，步骤S1：将铜片2放置在氮化铝基板1上，具体地，氮化铝基板1水平截面投影覆盖铜片2水平截面投影，然后进行氧化，烧结温度为450
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600摄氏度，本实施例中氧化温度为460摄氏度，铜片2与空气接触的表面形成氧化亚铜。
[0024]步骤S2：然后在铜片2上表面加工出多个引脚孔21沿铜片2长度方向等间隔设置，贯穿两个侧面的引脚孔21，在引脚孔21内填充阻隔物5，阻隔物5为不被蚀刻液蚀刻的材质，具体地，阻隔物5为氧化镁。
[0025]步骤S3：翻转铜片2倒扣在氮化铝基板1上，铜片2具有氧化亚铜的一面与氮化铝基板1贴合，也就是铜片2引脚孔21开口和阻隔物5与氮化铝基板1贴合，进行烧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将铜片放置在氧化铝基板或氮化铝基板上，然后进行氧化，铜片与空气接触的表面形成氧化亚铜；S2：然后在铜片上表面开设贯穿两个侧面的引脚孔，在引脚孔内填充阻隔物；S3：翻转铜片倒扣在氮化铝基板或氧化铝基板上，铜片具有氧化亚铜的一面与氮化铝基板或氧化铝基板贴合，进行烧结；S4：在铜片表面设置多个去除区，去除区包括去除一区和去除二区，去除一区水平截面投影位于引脚孔水平截面投影内，去除二区位于两个去除一区之间，去除区去除被铜片上水平截面投影与去除区水平截面投影相重合的铜，最后去除阻隔物形成引脚。2.根据权利要求1所述的预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，其特征在于：所述预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法还包括步骤S5，S5：在氮化铝基板或氧化铝基板表面开设易掰槽，易掰槽水平截面投影位于引脚孔水平面投影内。3.根据权利要求1所述的预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，其特征在于：所述步骤S3中引脚孔数量为多个，...

【专利技术属性】
技术研发人员：井敏，张继东，袁超，施纯锡，冯家伟，
申请(专利权)人：福建华清电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：