【技术实现步骤摘要】
预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法
[0001]本专利技术属于氮化铝基板
,具体涉及一种预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法。
技术介绍
[0002]目前,氮化铝陶瓷基覆铜板的制造方法主要有两种:(1)直接键合铜技术(DBC);(2)直接镀铜技术(DPC)。
[0003]其中直接键合铜技术对工艺温度的控制要求十分严苛,必须于温度极度稳定在1050
‑
1090℃温度范围下,才能使铜层表面熔解为共晶相,实现与陶瓷基板的紧密结合。
[0004]而DPC是一种把真空镀膜与电镀技术结合在一起的覆铜板制造技术,其原理是先利用真空镀膜技术在氧化铝或氮化铝陶瓷基板上沉积一层铜膜,再用电镀技术进行铜膜的增厚。DPC的工艺温度一般低于400℃,避免了高温对于材料所造成的破坏或尺寸变异的现象。DPC陶瓷基覆铜板具有高散热、高可靠度、高精准度及制造成本低等优点。DPC陶瓷基覆铜板的金属线路解析度上限约在10
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50um之间(以深宽比1:1为标准),甚至可以更细,且表面平整度高,因此非常 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:将铜片放置在氧化铝基板或氮化铝基板上,然后进行氧化,铜片与空气接触的表面形成氧化亚铜;S2:然后在铜片上表面开设贯穿两个侧面的引脚孔,在引脚孔内填充阻隔物;S3:翻转铜片倒扣在氮化铝基板或氧化铝基板上,铜片具有氧化亚铜的一面与氮化铝基板或氧化铝基板贴合,进行烧结;S4:在铜片表面设置多个去除区,去除区包括去除一区和去除二区,去除一区水平截面投影位于引脚孔水平截面投影内,去除二区位于两个去除一区之间,去除区去除被铜片上水平截面投影与去除区水平截面投影相重合的铜,最后去除阻隔物形成引脚。2.根据权利要求1所述的预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于:所述预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法还包括步骤S5,S5:在氮化铝基板或氧化铝基板表面开设易掰槽,易掰槽水平截面投影位于引脚孔水平面投影内。3.根据权利要求1所述的预开槽铜板生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于:所述步骤S3中引脚孔数量为多个,...
【专利技术属性】
技术研发人员:井敏,张继东,袁超,施纯锡,冯家伟,
申请(专利权)人:福建华清电子材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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