半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法，其主要先形成一第一栅极结构于基底上，然后进行第一蚀刻制作工艺以于第一栅极结构旁形成一凹槽，进行一离子注入制作工艺以形成一非晶层于凹槽正下方，进行第二蚀刻制作工艺去除该非晶层，再形成一外延层于凹槽内。层于凹槽内。层于凹槽内。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201810188894.X，申请日：2018年03月08日，专利技术名称：半导体元件及其制作方法)的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种于栅极结构旁形成外延层的方法。

技术介绍

[0003]为了能增加半导体结构的载流子迁移率，可以选择对于栅极通道施加压缩应力或是伸张应力。举例来说，若需要施加的是压缩应力，现有技术常利用选择性外延成长(selective epitaxial growth,SEG)技术于一硅基底内形成晶格排列与该硅基底相同的外延结构，例如硅锗(silicon germanium,SiGe)外延结构。利用硅锗外延结构的晶格常数(lattice constant)大于该硅基底晶格的特点，对P型金属氧化物半导体晶体管的通道区产生应力，增加通道区的载流子迁移率(carrier mobility)，并用于增加金属氧化物半导体晶体管的速度。反之，若是N型半导体晶体管则可选择于硅基底内形成硅碳(silicon carbi本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成一第一栅极结构于一基底上；进行一第一蚀刻制作工艺以于该第一栅极结构旁形成一凹槽；进行一离子注入制作工艺以形成一非晶层于该凹槽正下方；进行一第二蚀刻制作工艺去除该非晶层；以及形成一外延层于该凹槽内。2.如权利要求1所述的方法，其中该第一蚀刻制作工艺包含一干蚀刻制作工艺。3.如权利要求1所述的方法，其中该离子注入制作工艺所注入的离子是选自由砷、锗以及磷所构成的群组。4.如权利要求1所述的方法，其中该第二蚀刻制作工艺包含一湿蚀刻制作工艺。5.如权利要求4所述的方法，其中该第二蚀刻制...

【专利技术属性】
技术研发人员：林猷颖，叶怡良，蔡松蒝，游峻伟，王俞仁，吴振，林泰言，
申请(专利权)人：蓝枪半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：