半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包含：半导体层，其具有第1主面以及所述第1主面的相反侧的第2主面；电子传输层，其形成在所述半导体层的所述第1主面上；电子供给层，其形成在所述电子传输层上；栅极导电层，其形成在所述电子供给层上；源极导电层和漏极导电层，其以间隔所述栅极导电层的方式形成在所述电子供给层上；阳极导电层，其形成在所述半导体层的所述第2主面上，且与所述源极导电层电连接；阴极导电层，其形成在所述半导体层的所述第1主面上，且与所述漏极导电层电连接；以及整流元件，其以与所述阳极导电层以及所述阴极导电层电连接的方式利用所述半导体层而形成。导体层而形成。导体层而形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种在氮化物半导体生长用基板上形成有GaN层的半导体装置，该氮化物半导体生长用基板在由单晶硅构成的硅基板上具备由氧化铝构成的Al2O3层、由氮氧化铝构成的AlOxNy层、由氮化铝构成的AlN层、以及由氧化铝构成的Al2O3覆盖层。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
38395号公报

技术实现思路

[0006]用于解决课题的手段
[0007]本专利技术的一实施方式的半导体装置包含：半导体层，其具有第1主面和所述第1主面的相反侧的第2主面；电子传输层，其形成在所述半导体层的所述第1主面上；电子供给层，其形成在所述电子传输层上；栅极导电层，其形成在所述电子供给层上；源极导电层和漏极导电层，其以间隔所述栅极导电层的方式形成在所述电子供给层上；阳极导电层，其形成在所述半导体层的所述第2主面上，与所述源极导电层电连接；阴极导电层，其形成在所述半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包含：半导体层，其具有第1主面以及所述第1主面的相反侧的第2主面；电子传输层，其形成在所述半导体层的所述第1主面上；电子供给层，其形成在所述电子传输层上；栅极导电层，其形成在所述电子供给层上；源极导电层和漏极导电层，其以间隔所述栅极导电层的方式形成在所述电子供给层上；阳极导电层，其形成在所述半导体层的所述第2主面上，且与所述源极导电层电连接；阴极导电层，其形成在所述半导体层的所述第1主面上，且与所述漏极导电层电连接；以及整流元件，其以与所述阳极导电层以及所述阴极导电层电连接的方式利用所述半导体层而形成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包含第1贯穿布线，该第1贯穿布线贯穿所述电子供给层、所述电子传输层以及所述半导体层，将所述源极导电层与所述阳极导电层连接。3.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述阴极导电层包含第2贯穿布线，该第2贯穿布线从所述漏极导电层贯穿所述电子供给层和所述电子传输层，并与所述半导体层的所述第1主面相接。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层包含硅半导体层，所述电子传输层包含氮化物半导体层，所述半导体装置还包含形成在所述半导体层与所述电子传输层之间的缓冲层。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包含形成在所述电子供给层与所述栅极导电层之间的绝缘层。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述整流元件包含：p型区域，其形成在所述半导体层，与所述阳极导电层电连接；以及n型区域，其形成在所述半导体层，与所述阴极导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：田村侑也，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：