一种光电突触器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光电突触器件及其制备方法，方法包括，提供表面沉积有介电层的硅基衬底；在所述介电层的表面沉积钙钛矿量子点溶液，得到钙钛矿量子点层；提供辅助膜；在所述辅助膜的表面设置源极和漏极作为金属电极，所述源极和漏极之间设置有沟道；在所述沟道的敞口处设置有沟道层，所述沟道层包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述源极和所述漏极相接，所述第二侧面设置有二维隧穿层；将所述辅助膜叠放在所述钙钛矿量子点层上，使所述二维隧穿层与所述钙钛矿量子点层贴合,得到光电突触器件。该方案避免了光刻过程中水氧的影响，同时，转移辅助膜可以进一步保护钙钛矿量子点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种光电突触器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及及突触可塑类器件领域，尤其涉及一种光电突触器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]摩尔定律自二十世纪六十年代就推动着信息技术革命，然而，由于短沟道效应，基于硅材料的电子器件即将达到其物理极限，摩尔定律正接近尾声。《国际半导体技术路线图》提出了一个新的战略路线：即不再大规模扩展硅电子器件，而是引入新材料和新型器件(光电突触器件)，从而获得持续的性能改进。自2004年石墨烯被发现以来，大量的二维材料被相继报道，包括六方氮化硼、过渡金属硫化物、黑磷等。这些材料是通过面外范德华力形成的，可以通过机械剥离成厚度低于1纳米的单层。与传统的体材料不同，二维半导体材料由于其原子级厚度而不受短沟道效应的影响，同时具有一个自然均匀和无悬挂键的表面，这为器件尺度的进一步降低提供了机会。
[0003]此外，在体厚度减小到10纳米以下时，硅材料的载流子迁移率显著降低，而二维材料的载流子迁移率只发生微弱的变化。由于二维材料独特的原子结构和电学、光学性质，二维材料光电突触得到广泛研究，如离子液体晶体管、铁电晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电突触器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供表面沉积有介电层的硅基衬底；在所述介电层的表面沉积钙钛矿量子点溶液，得到钙钛矿量子点层；提供辅助膜；在所述辅助膜的表面设置源极和漏极作为金属电极，所述源极和漏极之间设置有沟道；在所述沟道的敞口处设置有沟道层，所述沟道层包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述源极和所述漏极相接，所述第二侧面设置有二维隧穿层；将所述辅助膜叠放在所述钙钛矿量子点层上，使所述二维隧穿层与所述钙钛矿量子点层贴合,得到光电突触器件。2.根据权利要求1所述的光电突触器件的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿量子点层的材料为ABX3，其中A＝Cs
+
，CH3NH
3+
，CH(NH2)
2+
；B＝Pb
2+
，Sn
2+
，Ge
2+
；X＝Br
‑
，I
‑
，Cl
‑
。3.根据权利要求1所述的光电突触器件的制备方法，其特征在于，所述沟道层的材料为二硫化钼、二硒化钨、二硫化钨或黑磷。4.根据权利要求1所述的光电突触器件的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晔，陈雪，韩素婷，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：