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本发明公开了一种光电突触器件及其制备方法，方法包括，提供表面沉积有介电层的硅基衬底；在所述介电层的表面沉积钙钛矿量子点溶液，得到钙钛矿量子点层；提供辅助膜；在所述辅助膜的表面设置源极和漏极作为金属电极，所述源极和漏极之间设置有沟道；在所述沟...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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