电子电路制造技术

本公开的各实施例总体上涉及电子电路。一种电子电路包括上基板和下基板。电子集成电路芯片位于上基板与下基板之间。芯片包括耦合到上基板的接触元件。由第一材料制成的第一区域布置在芯片和穿过下基板的传热区域之间。填充有第二材料的第二区域耦合下基板和上基板，并且横向地围绕第一区域。第一材料的导热率大于第二材料的导热率。第二材料的导热率。第二材料的导热率。

【技术实现步骤摘要】
电子电路
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月23日提交的法国专利申请No.2112395的优先权权益，其内容在法律允许的最大范围内通过引用整体并入本申请。


[0003]本公开总体上涉及电子电路及其制造方法，特别是包括嵌入基板中的电子芯片的电子电路。

技术介绍

[0004]为了保护其免受环境条件(诸如湿度)的影响，现有电子电路可以包括通过模制工艺而嵌入树脂中的元件。这些树脂特别地限制了电子电路内生成的热量的耗散。此外，已经提供了模制嵌入式封装组件以使电子电路更紧凑。特别地，在这种组件中，电子芯片嵌入通过模制而形成的树脂中。然而，在这种类型的组件中，散热变得至关重要。由此产生的热量限制了性能，并且是故障的来源。
[0005]需要改善电子电路内部或电子电路堆叠时的散热。

技术实现思路

[0006]一个实施例克服了已知电子电路的全部或部分缺点。
[0007]一个实施例提供了一种电子电路，该电子电路包括：上基板和下基板；位于上基板与下基板之间并且具有耦合到上基板的接触元件的电子集成电路芯片；由第一材料制成并且布置在芯片和穿过下基板的传热区之间的第一区域；以及填充有第二材料并且耦合下基板和上基板的第二区域；其中第一材料的导热率大于第二材料的导热率。
[0008]根据一个实施例，第一导热元件布置在上基板与下基板之间，其中第一热传递元件紧固到上基板和下基板。
[0009]根据一个实施例，该电路包括第三区域，该第三区域由第三电绝缘材料制成并且布置在芯片的面向上基板的表面与上基板之间，第三区域至少部分围绕芯片的接触元件。
[0010]根据一个实施例，传热区包括开口，该开口穿过下基板的厚度并且与电子芯片竖直对准。
[0011]根据一个实施例，第一材料至少部分填充开口。
[0012]根据一个实施例，传热区包括布置在开口中的热导体，该热导体的导热率大于第二材料的导热率。
[0013]根据一个实施例，传热区包括至少一个导热元件，该导热元件布置在下基板的面向上基板的表面上并且布置为与热导体接触；上述至少一个导热元件的导热率大于第二材料的导热率。
[0014]根据一个实施例，热导体是导电板。
[0015]根据一个实施例，导热元件是导电板，并且热导体是填充开口的金属过孔。
[0016]根据一个实施例，导热元件或热导体包括铜或镍和金的合金。
[0017]一个实施例提供了一种制造电子电路的方法，该方法包括：将第一材料施加到下基板的传热区；定位上基板使得第一材料布置在具有耦合到上基板的接触元件的至少一个电子芯片与下基板的传热区之间的第一区域中；以及用第二材料填充耦合下基板和上基板的第二区域，第一材料的导热率大于第二材料的导热率。
[0018]根据一个实施例，传热区在施加第一材料之前通过以下方式获取：提供穿过下基板厚度的开口；以及将下基板的第一表面放置在膜上，第一表面面向与上基板相对的方向，使得开口在第一表面侧被上述膜遮挡。
[0019]根据一个实施例，在上基板已经定位之后，对第一材料应用固化处理；并且在第二材料填充第二区域之后，对其应用另一固化处理，之后，去除膜。
[0020]根据一个实施例，上基板和/或下基板包括耦合接触焊盘的电轨道的堆叠，该接触焊盘被布置在上述基板的厚度的任一侧。
[0021]一个实施例提供了一种电子系统，该电子系统包括这样的电子电路和至少另一电子电路，该至少另一电子电路位于上基板上并且至少热耦合到电子电路的上基板。
附图说明
[0022]上述特征和优点以及其他方面将在以下参考附图以说明而非限制的方式给出的具体实施例的描述中详细描述，在附图中：
[0023]图1示意性地示出了电子电路组装示例的横截面图；
[0024]图2示意性地示出了根据本说明书的实施例的电子电路的横截面图；
[0025]图3示意性地示出了根据本公开的另一实施例的电子电路的横截面图；
[0026]图4以框图形式示出了根据本公开的实施例的电子电路的制造方法的不同步骤；以及
[0027]图5a至图5g示意性地示出了图4的制造方法的不同步骤的横截面图。
具体实施方式
[0028]在各图中，相似的特征用相似的附图标记表示。特别地，在各种实施例中共同的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记，并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。
[0029]为了清楚起见，仅详细说明和描述了有助于理解本文所述实施例的步骤和元素。特别地，电子电路的内部组件(诸如晶体管、存储器或内部互连)未示出。
[0030]除非另有说明，否则当提及连接在一起的两个元件时，这表示直接连接，而没有任何中间元件(导体除外)，而当提及耦合在一起的两个元件时，这表示这两个元件可以连接，也可以经由一个或多个其他元件耦合。
[0031]在以下公开中，除非另有规定，否则当提及绝对位置限定符(诸如术语“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“左”、“右”等)或相对位置限定符(诸如术语“上方”、“下方”、“上部”和“下部”等)或取向限定符(诸如“水平”、“竖直”等)时，参考图中所示的取向。
[0032]除非另有规定，否则“大约”、“大致”、“基本上”和
“……
数量级”表示在10％以内，优选地在5％以内。
[0033]图1示意性地示出了电子电路堆叠的横截面图。堆叠包括布置在另一电子电路100
上方的电子电路10。两个电路10、100通过触点12耦合在一起，触点12例如是电导体。这些触点12还能够将由布置在上方的电路10生成的热量传递到布置在下方的电路100，反之亦然。根据图1的示例，电路100是带有嵌入式电子集成电路芯片的基板组件，并且包括例如上基板102和下基板112。至少一个电子集成电路片106布置在上基板102与下基板112之间。电子芯片106电耦合到上基板102。根据另一示例(未示出)，芯片106不是耦合到上基板102，而是耦合到下基板112。材料115完全或部分地布置在电子芯片106周围。例如，材料115填充芯片106周围的下基板112与上基板102之间的空间。这使得电子芯片能够与诸如湿度等环境因素绝缘。然而，这表示，来自电路10的热量以及由电路100本身生成的热量没有充分地朝向基板150耗散。
[0034]在图1的示例中，电路100还经由其他触点104电耦合到基板150。例如，基板150包括印刷电路，印刷电路耦合有触点104。
[0035]根据一个示例，基板102、112中的每个基板包括耦合接触焊盘的电轨道的堆叠，该接触焊盘被布置在这些基板102、112中的每个基板的厚度的任一侧。例如，上基板102包括耦合到触点12并且通过电轨道的堆叠而耦合到被耦合到芯片106的接触焊盘的接触焊盘。这使得能够创建电连接或热连接电路的堆叠或组件。
[0036]为了改善散热，例如，电子电路100可以包括被布置为产生穿过材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子电路，包括：上基板；下基板，包括穿过所述下基板的厚度以提供传热区的开口；电子芯片，位于所述上基板与所述下基板之间并且具有耦合到所述上基板的接触元件；第一区域，由第一材料制成并且布置在所述电子芯片与所述传热区之间；以及第二区域，填充有第二材料并且耦合所述下基板和所述上基板；其中所述第一材料的导热率大于所述第二材料的导热率。2.根据权利要求1所述的电路，还包括布置在所述上基板与所述下基板之间的第一导热元件，所述第一导热元件紧固到所述上基板和所述下基板。3.根据权利要求1所述的电路，还包括由第三电绝缘材料制成的第三区域，所述第三区域布置在所述上基板与所述电子芯片的面向所述上基板的表面之间，所述第三区域至少部分围绕所述电子芯片的所述接触元件。4.根据权利要求1所述的电路，其中所述开口与所述电子芯片竖直对准。5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一材料至少部分填充所述开口。6.根据权利要求1所述的电路，还包括布置在所述开口中的热导体，所述热导体的导热率大于所述第二材料的导热率。7.根据权利要求6所述的电路，还包括导热元件，所述导热元件布置在所述下基板的面向所述上基板的表面上，并且布置为与所述热导体接触；所述导热元件的导热率大于所述第二材料的导热率。8.根据权利要求7所述的电路，其中所述热导体是导电板。9.根据权利要求7所述的电路，其中所述导热元件是导电板，并且所述热导体是填充所述开口的金属过孔。10.根据权利要求7所述的电路，其中所述导热元件由选自由铜或镍和金合金组成的组中的材料制成，并且其中所述热导体由选自由铜或镍和金合金组成的组的材料制成。11.根据权利要求1所述的电路，其中填充有第二材料的所述第二区域横向地围绕由所述第一材料制成的所述第一区域。12.根据权利要求1所述的电路，其中所述上基板和所述下基板包括耦合接触焊盘的电轨道的堆叠，所述接触焊盘被布置在所述基板的厚度的任一侧。13.一种电子系统，包括：根据权利要求1所述的电子电路；以及至少另一电子电路，位于所述上基板上并且至少热耦合到所述电子电路的所述上基板。14.一种制造电子电路的方法，包括：通过提供穿过下基板的厚度的开口来获取传热区；将第一材料施加到所述下基板的所述传热区；定位上基板，使得所述第一材料布置在第一区域中，所述第一区域位于具有耦合到所述上基板的接触元件的电子集成芯片与所述下基板的所述传热区之间；以及用第二材料填充耦合所述下基板和所述上基板的第二区域；
其中所述第一材料的导热率大于所述第二材料的导热率。15.根据权利要求14所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：发明
国别省市：