超导约瑟夫森结及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超导约瑟夫森结及其制备方法。制备方法包括：提供衬底，形成光刻胶层于衬底上，光刻胶层具有贯穿且垂直相交的两条沟道，沟道包括上子沟道和宽度大于上子沟道的下子沟道，上子沟道位于下子沟道开口上方，使下子沟道内的衬底被部分遮挡；沿偏离沟道预定角度的第一方向进行倾斜蒸镀，在两条沟道内的衬底上分别形成与两条沟道平行且至少部分位于遮挡区域的第一超导线；在第一超导线表面形成势垒层；沿与第一方向相反的第二方向进行倾斜蒸镀，在两条沟道内的衬底上分别形成与两条势垒层垂直交叠且至少部分位于遮挡区域的第二超导线。本发明专利技术能够利用低分辨率UV光刻机制备超导约瑟夫森结。备超导约瑟夫森结。备超导约瑟夫森结。

【技术实现步骤摘要】
超导约瑟夫森结及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，特别是涉及一种超导约瑟夫森结及其制备方法。

技术介绍

[0002]超导量子芯片是基于超导约瑟夫森结的电子线路，通常包括谐振腔、操控线路、读取线路、“空气桥”以及超导约瑟夫森结等结构。除了超导约瑟夫森结，其余结构线宽均在微米尺寸，均可通过价格相对低廉的低分辨率紫外(UV)光刻机完成批量曝光。而超导约瑟夫森结的尺寸通常在亚微米级别，如200nm
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200nm，由于UV光刻机的分辨率有限，无法完成200nm线宽的曝光，所以现有工艺只能采用电子束曝光设备或者高分辨率的深紫外(DUV)光刻机对来制备约瑟夫森结，又或者改造紫外(UV)光刻机，以提高其分辨率。
[0003]然而，电子束曝光设备的曝光速度很慢，限制了量子芯片的批量生产；深紫外(DUV)光刻机的设备价格和维护成本非常高；紫外(UV)光刻机的改造对技术水平的要求非常高，而且分辨率提升有限。所以，现有的超导约瑟夫森结制备工艺的成本高而且产量低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超导约瑟夫森结的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，形成光刻胶层于所述衬底上，所述光刻胶层具有贯穿且垂直相交的两条沟道，所述沟道包括上子沟道和宽度大于所述上子沟道的下子沟道，所述上子沟道位于所述下子沟道开口上方，使所述下子沟道内的衬底被部分遮挡；沿偏离所述沟道预定角度的第一方向进行倾斜蒸镀，在所述两条沟道内的衬底上分别形成与两条沟道平行且至少部分位于遮挡区域的第一超导线；在所述第一超导线表面形成势垒层；沿与所述第一方向相反的第二方向进行倾斜蒸镀，在所述两条沟道内的衬底上分别形成与两条势垒层垂直交叠且至少部分位于遮挡区域的第二超导线。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层包括由下至上层叠的第一光刻胶子层和第二光刻胶子层，所述下子沟道位于所述第一光刻胶子层，所述上子沟道位于所述第二光刻胶子层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶子层在显影液中的溶解速率高于所述第二光刻胶子层，或者所述第一光刻胶子层对光的敏感度高于所述第二光刻胶子层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预定角度为45度。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：合肥本源量子计算科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：