【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示基板和显示装置
[0001]本申请要求于2021年9月14日递交的PCT国际申请第PCT/CN2021/118279号的优先权以及于2022年3月24日递交的PCT国际申请第PCT/CN2022/082809号的优先权,在此全文引用上述专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
[0002]本公开的实施例涉及一种显示基板和显示装置。
技术介绍
[0003]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum
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dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
技术实现思路
[0004]本公开至少一实施例提供一种显示基板,该显 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示基板,包括:衬底基板,包括第一显示区和第二显示区,其中,所述第一显示区至少部分围绕所述第二显示区,所述第二显示区的透光率大于所述第一显示区的透光率;多个像素驱动电路,位于所述衬底基板上,且位于所述第一显示区;第一平坦化层,位于所述多个像素驱动电路的远离所述衬底基板一侧;多个发光器件,位于所述第一平坦化层的远离所述衬底基板一侧;第一电源信号线,位于所述第一平坦化层的远离所述衬底基板一侧,且位于所述第一显示区;以及数据信号线,位于所述第一平坦化层的远离所述衬底基板一侧,且位于所述第一显示区;其中,所述第一平坦化层包括将所述多个像素驱动电路中的至少一个与所述多个发光器件中的至少一个电连接的器件连接过孔、将所述多个像素驱动电路中的至少一个与所述第一电源信号线电连接的电源过孔以及将所述多个像素驱动电路中的至少一个与所述数据信号线电连接的数据过孔,所述器件连接过孔、电源过孔以及数据过孔沿第一方向排列。2.根据权利要求1所述的显示基板,还包括:第一初始化信号线,配置为向多个像素驱动电路中的至少一个提供第一初始化信号;其中,所述器件连接过孔、所述电源过孔以及所述数据过孔与所述第一初始化信号线的最短距离基本相等。3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述多个像素驱动电路包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路,所述多个发光器件包括位于所述第一显示区的第一发光器件和位于所述第二显示区的第二发光器件,所述器件连接过孔包括第一过孔和第二过孔,所述第一发光器件通过所述第一过孔与所述第一像素驱动电路电连接,所述第二发光器件通过位于所述第一显示区和所述第二显示区的第一连接走线与所述第二像素驱动电路电连接,并且在所述第一显示区,所述第一连接走线通过所述第二过孔与所述第二像素驱动电路电连接。4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述多个像素驱动电路包括沿第一方向延伸且沿第二方向排布的多个像素电路组,所述多个像素电路组中的至少一组包括多个第一像素驱动电路和多个第二像素驱动电路,所述多个第一像素驱动电路和所述多个第二像素驱动电路所采用的多个第一过孔、多个第二过孔、多个电源过孔以及多个数据过孔沿所述第一方向排列,所述第一方向和所述第二方向交叉。5.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述至少一组像素电路组中的多个第一像素驱动电路和多个第二像素驱动电路所采用的多个第一过孔、多个第二过孔、多个电源过孔以及多个数据过孔与所述第一初始化信号线的最短距离基本相同。6.根据权利要求4或5所述的显示基板,其中,所述至少一组像素电路组中的多个第一像素驱动电路和多个第二像素驱动电路所采用的多个第一过孔、多个第二过孔、多个电源过孔以及多个数据过孔位于同一直线上,所述同一直线沿所述第一方向延伸。7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,在平行于所述衬底基板的方向上,所述第一
连接走线位于所述同一直线的至少一侧。8.根据权利要求7所述的显示基板,其中,所述第一连接走线从所述第一显示区到所述第二显示区的延伸方向平行于所述第一方向。9.根据权利要求2
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8任一所述的显示基板,其中,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路分别包括作为复位晶体管的第一晶体管、作为补偿晶体管的第二晶体管和作为驱动晶体管的第三晶体管,所述第一晶体管的栅电极与复位信号线连接,所述第一晶体管的第一极与第一初始化信号线连接,所述第一晶体管的第二极分别与所述第二晶体管的第一极和所述第三晶体管的栅电极连接,所述第二晶体管的栅电极与扫描信号线连接,所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管的第二极连接;所述第一晶体管的栅电极、所述第二晶体管的栅电极、所述第三晶体管的栅电极、所述扫描信号线与所述复位信号线位于所述衬底基板上的第一导电层;所述第一初始化信号线位于第二导电层,所述第二导电层位于所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧。10.根据权利要求9所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王琦伟,黄炜赟,杨妮,徐元杰,卢彦伟,杜丽丽,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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