一种发光二极管及制作方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管及制作方法，所述发光二极管包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；半导体外延叠层，包含层叠于所述衬底的第一表面之上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；侧壁，形成于所述半导体外延叠层的边缘，所述侧壁具有粗化结构，所述粗化结构包括凸起；其特征在于：还包含蚀刻阻挡层，位于所述半导体外延叠层远离衬底的上表面。所述蚀刻阻挡层，可防止侧壁粗化过程中蚀刻液对半导体外延叠层上表面的蚀刻，提升半导体发光二极管的外观良率，提升发光二极管的光电性能。极管的光电性能。极管的光电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及制作方法


[0001]本专利技术涉及一种发光二极管及其制作方法，属于半导体光电子器件与


技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)因具有高的发光效率及更长的使用寿命等优点，目前已经广泛地应用在背光、照明、景观等各个光源领域。进一步提高LED芯片的发光效率仍然是当前行业发展的重点。
[0003]欲提升发光效率可通过以下几个方式，其包括改善外延生长的品质，通过增加电子和空穴结合的几率，提升内部量子效率（IQE）。另一方面，发光二极管产生的光线若无法有效被取出，部分光线因全反射因素而局限在发光二极管内部来回反射或折射，最终被电极或发光层吸收，使亮度无法提升，因此使用表面粗化或者改变结构的几何形状等，提升外量子效率（EQE），从而提升发光二极管的发光亮度和发光效率。
[0004]表面粗化提高LED芯片出光效率的原理是利用LED出光表面的凹凸结构，将全反射角度的光线散射出或者引导出芯片，从而增加可以出射到LED外部的光线比例。一般地，可以选择对芯片的正面或侧面进行粗化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光二极管，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；半导体外延叠层，包含层叠于所述衬底的第一表面之上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；侧壁，形成于半导体外延叠层的边缘，所述侧壁具有粗化结构；其特征在于：还包含蚀刻阻挡层，位于所述半导体外延叠层远离衬底的上表面，所述蚀刻阻挡层可防止蚀刻溶液蚀刻所述半导体外延叠层；所述蚀刻阻挡层的厚度为30~150nm。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述蚀刻阻挡层由耐酸性或耐碱性的导电材料组成。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述蚀刻阻挡层由组合式（Al
X
Ga1‑
X
)
Y
In1‑
Y
P的化合物半导体材料组成，其中0≤X≤1，0≤Y≤1。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述蚀刻阻挡层由GaP化合物半导体材料组成。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述蚀刻阻挡层的厚度为50~100nm。6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述蚀刻阻挡层为p型掺杂，其掺杂浓度为1E19/cm
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈午祺，胡蝶，吴少华，王凌飞，宁振动，谢振刚，张君逸，王笃祥，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：