【技术实现步骤摘要】
图像传感器设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年7月28日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0094259号韩国专利申请和于2021年11月19日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0160732号韩国专利申请的优先权，这两个申请中的每一个的公开内容通过引用整体结合于此。
[0003]本文描述的本公开的实施例涉及图像传感器，更具体地，涉及图像传感器设备及其操作方法。
技术介绍
[0004]图像传感器将从图像传感器外部入射的光转换成电信号。图像传感器被分类为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或电荷耦合器件(CCD)图像传感器。
[0005]图像传感器可以通过精细工艺制造。因此，由于图像传感器的组件之间的耦合，可能出现噪声。例如，当图像传感器暴露于明亮光源时，由于耦合现象，可能出现拖尾状水平带噪声(smear
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器设备，包括：连接到第一数据线的第一图像像素；连接到所述第一数据线的第二图像像素；模数转换器，被配置为基于斜坡信号和所述第一数据线的电压电平生成数字信号；和箝位信号发生器，被配置为根据所述模数转换器的模拟增益生成箝位信号，其中，在从所述第一图像像素向所述第一数据线提供数据电压的同时，所述第二图像像素基于所述箝位信号向所述第一数据线提供箝位电压。2.根据权利要求1所述的图像传感器设备，其中，所述第一数据线的电压电平在所述数据电压的电压电平高于所述箝位电压的电压电平的第一时间区间中被确定为所述数据电压的电压电平，并且在所述数据电压的电压电平低于所述箝位电压的电压电平的第二时间区间中被确定为所述箝位电压的电压电平。3.根据权利要求1所述的图像传感器设备，其中，所述第一图像像素包括：第一光电二极管，被配置为基于第一光信号累积电荷；第一转移晶体管，连接在所述第一光电二极管和第一浮动扩散节点之间，并且被配置为基于第一转移信号进行操作；第一重置晶体管，连接在电源电压和所述第一浮动扩散节点之间，并且被配置为基于第一重置信号进行操作；第一驱动晶体管，连接在所述电源电压和第一中间节点之间，并且被配置为基于所述第一浮动扩散节点处的电压进行操作；和第一选择晶体管，连接在所述第一中间节点和所述第一数据线之间，并且被配置为基于选择信号进行操作。4.根据权利要求3所述的图像传感器设备，其中，所述第二图像像素包括：第二光电二极管，被配置为基于第二光信号累积电荷；第二转移晶体管，连接在所述第二光电二极管和第二浮动扩散节点之间，并且被配置为基于第二转移信号进行操作；第二重置晶体管，连接在所述电源电压和所述第二浮动扩散节点之间，并且被配置为基于第二重置信号进行操作；第二驱动晶体管，连接在所述电源电压和第二中间节点之间，并且被配置为基于所述第二浮动扩散节点处的电压进行操作；和第二选择晶体管，连接在所述第二中间节点和所述第一数据线之间，并且被配置为基于所述箝位信号的电压电平进行操作。5.根据权利要求4所述的图像传感器设备，其中，在从所述第一图像像素向所述第一数据线提供所述数据电压的同时，所述第一选择晶体管操作在三极管区，并且所述第二选择晶体管操作在饱和区。6.根据权利要求4所述的图像传感器设备，其中，在从所述第一图像像素向所述第一数据线提供所述数据电压的同时，所述箝位信号的电压电平低于所述选择信号的电压电平。7.根据权利要求4所述的图像传感器设备，其中，所述第二选择晶体管作为源极跟随器操作。8.根据权利要求1所述的图像传感器设备，其中，所述箝位信号在生成所述第一图像像
素的重置电压的第一时间区间期间具有第一电压电平，并且在从所述第一图像像素向所述第一数据线提供所述数据电压的第二时间区间期间具有高于所述第一电压电平的第二电压电平。9.根据权利要求1所述的图像传感器设备，其中，所述箝位信号发生器包括：可变电阻器电路，连接在第一节点和电源电压之间；和电流源电路，连接在所述第一节点和地电压之间，其中，所述箝位信号的电压电平是基于所述第一节点处的电压电平和所述地电压的电压电平来确定的。10.根据权利要求9所述的图像传感器设备，其中，所述模数转换器包括被配置为生成所述斜坡信号的斜坡信号发生器，...
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