大幅提升P型晶体硅电池效率的非PN结面工艺结构制造技术

本发明专利技术专利是一种大幅提升P型晶体硅电池效率的非PN结面工艺结构。该工艺结构主要是在P型晶体硅电池片的无PN结面，直接在经过清洁和去氧化层去粗糙度处理的P型硅表面，连续地镀制一个或多个IM薄膜或网线结构，而且第一个I薄膜层也可以用作钝化层，最后一层M金属层，可以作为整个电池的阳极。非金属I层可以是同种或不同种绝缘体或半导体薄膜层，金属M层为不同或同种金属薄膜层或网线层，导电性和厚度由内向外依次增大。I和M都要使用无毒无稀缺可融入自然循环的常规材料。I层厚度0—1000nm，M层0.1nm—10μm。层0.1nm—10μm。

【技术实现步骤摘要】
大幅提升P型晶体硅电池效率的非PN结面工艺结构


[0001]本专利技术属微电子与新能源
，主要涉及一种大幅提升P型晶体硅电池效率的非PN结面工艺结构。

技术介绍

[0002]开发利用太阳能是人类解决能源危机、环境危机的最主要途径。开发经济适用的绿色高效的电池工艺技术，是太阳能得以广泛利用的关键技术与环节之一。
[0003]目前，P型晶体硅电池的量产效率接近23%，N型晶体硅电池的小量产效率达到24%以上水平，但是效率还是不够高，只是在气候比较干燥、日照时间比较长的少数地区，比较有使用价值，在地球上绝大部分地区，离开补贴，实际使用价值与经济价值，都没有吸引力。
[0004]按照传统的太阳能硅电池理论，晶体硅电池量产效率达到24%水平，已经接近其理论极限，提升的潜力不大。但传统硅电池结构，只吸收短波尤其是可见光，太阳能到地面超过50%的部分变成了热红外等长波能了。我们创造的技术，是在P型硅电池的非PN结面也即电池的后端结构中，适当地加入能够高效地吸收热红外能的IM结构，在保证闭路电流与效率因子稳定的前提下，大幅提升P型晶体硅电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大幅提升P型晶体硅电池效率的非PN结面工艺结构，其特征是，该工艺结构主要是在P型晶体硅电池片的无PN结面，直接在经过清洁和去氧化层去粗糙度处理的P型硅表面，连续地镀制一个或多个IM薄膜或网线结构，而且第一个I薄膜层也可以用作钝化层，最后一层M金属层，可以作为整个电池的阳极。2.如权利要求1所述的一种大幅提升P型晶体硅电池效率的非PN结面工艺结构，其特征在于，该结构中，非金属I层可以是同种或不同种绝缘体或半导体薄膜层，每个I层厚度0.01—1000nm；金属M层为不同或同种金属薄膜层或网线层，导电性和厚度由内向外依次增大，每个M层0.1nm—10μm，如为金属微纳米网线结构，可以用金属沉积镀膜刻饰或丝网印刷等工艺完成。3.如权利要求1所述的一种大幅提升P型晶体硅电池效率的非PN结面工艺结构，其特征在于，该结构中的M金属材料可以是铁、镍、锂、锌、镁、锡、錳、铜、钽、钇、铈、钛、银、铝、钨、钼、铬、锆、金、铂等任何一种无害...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋太伟，
申请(专利权)人：上海日岳新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：