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本发明专利是一种大幅提升P型晶体硅电池效率的非PN结面工艺结构。该工艺结构主要是在P型晶体硅电池片的无PN结面，直接在经过清洁和去氧化层去粗糙度处理的P型硅表面，连续地镀制一个或多个IM薄膜或网线结构，而且第一个I薄膜层也可以用作钝化层，最...
该专利属于上海日岳新能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海日岳新能源有限公司授权不得商用。

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